功率(Pd) | 200mW | 商品分类 | 三极管(BJT) |
晶体管类型 | PNP | 特征频率(fT) | 100MHz |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 420@2mA,5V | 集射极击穿电压(Vceo) | 30V |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@100mA,5mA | 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
集电极电流(Ic) | 100mA |
BC858C是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),广泛应用于模拟信号放大和开关电路中。这款三极管在电子产品设计中具有良好的性能,能够满足各种应用需求。以下是BC858C的详细规格参数和应用场景分析。
BC858C的封装形式为SOT-23,这种小巧的表面贴装封装使其非常适合于空间有限的电路设计中,尤其是在便携式设备和智能手机等产品中。
BC858C三极管具有优异的电流增益,使其在低电流条件下仍可实现高性能运作。其420的直流电流增益意味着,应用于信号放大时,可以使用较小的基极电流来控制较大的集电极电流,因此在信号处理和输出驱动场景中尤为出色。
另外,BC858C具有高频特性,特征频率为100MHz,适合于高频信号应用,比如无线电通讯和高速数字电路。这使得其在现代高频电子设备中广泛受欢迎。
BC858C的应用非常广泛,主要包括:
由于BC858C的集射极击穿电压为30V,相较于一些低电压元器件,BC858C在高电压环境下仍具有一定的稳健性,同时其集电极截止电流仅为100nA,保证了在待机状态下的低功耗特性,有效延长电子设备的使用寿命。
BC858C是一款具有高电流增益、较低饱和压降和良好频率特性的PNP型三极管,适用于各种电子应用。这款晶体管以其出色的性能、可靠性及稳定性,成为许多电子设计工程师的首选元件之一。通过结合BC858C的特性与适用领域,可以实现创新的产品设计,满足现代电子产品对性能和效率的需求。无论是在工业应用、消费电子还是通讯设备中,BC858C都展现出广泛的适用性和卓越的性能,值得在未来更多的设计中进一步探索与应用。