功率(Pd) | 187mW | 商品分类 | 数字晶体管 |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,10V |
输入电阻 | 2.86kΩ | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 200mV |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
LMUN5335DW1T1G 是一款高性能的数字晶体管,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效信号处理和开关控制的场合。该产品采用SOT-363封装,结构紧凑,适合于空间有限的应用。以下将从多个方面对LMUN5335DW1T1G进行详细介绍。
功率:LMUN5335DW1T1G的功率额定值为187mW,能够在不同的工作情况下提供良好的功率效率,适合商用和工业应用。
工作温度范围:该器件的工作温度范围为-55℃至+150℃,使其能够在极端环境下保持稳定的性能,满足航空、汽车和工业设备的需求。
直流电流增益:LMUN5335DW1T1G在10mA的集电极电流(Ic)和10V的集电极-发射极电压(Vce)条件下,其直流电流增益(hFE)为80。这一增益特性使其能够有效地控制更大电流的负载。
输入电阻:该器件具有2.86kΩ的输入电阻,这对于数字电路的高输入阻抗特性至关重要,能够降低信号损耗。
输出电压:在集电极电流(Io/Ii)条件下,输出电压(VO(on))为200mV,显示出它在传输数据信号时的良好响应。
集射极击穿电压:LMUN5335DW1T1G的集射极击穿电压(Vceo)为50V,确保在高电压环境下也能保持稳定和安全的工作。
集电极电流:它支持的最大集电极电流(Ic)为100mA,允许其驱动相对较大的负载,使得其在各种应用中的适用性更广泛。
LMUN5335DW1T1G是一款标配包含一个NPN和一个PNP晶体管的数字晶体管,预偏置设计使其在信号开关中具有极佳的响应时间和高效能。该器件的多功能特性非常适合用于开关电路、数字逻辑电路和信号放大等应用。
元器件的设计基于现代电子设备的需要,LRC(乐山无线电)品牌的信誉保证了产品质量和性能的优越性。该晶体管符合RoHS环保标准,无铅设计使其在绿色电子产品的生产中更具优势。
LMUN5335DW1T1G凭借其出色的电气性能,适用于多种场景:
在竞争激烈的市场中,LMUN5335DW1T1G的优势主要体现在以下几个方面:
综上所述,LMUN5335DW1T1G是一款兼具高性能和可靠性的数字晶体管,适用于多种电子设备的信号处理与开关控制。无论是在消费品、汽车电子,还是在工业控制领域,此产品均能发挥出其应有的价值,满足客户高标准的需求。