UCC37324DR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

UCC37324DR

商品编码: BM0230057052
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
SOIC-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
门驱动器 UCC37324DR SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.75
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.75
--
2500+
¥2.62
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

UCC37324DR参数

驱动配置低端通道类型独立式
驱动器数2栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 供电4.5V ~ 15V逻辑电压 - VIL,VIH1V,2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)4A,4A输入类型非反相
上升/下降时间(典型值)20ns,15ns工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC

UCC37324DR手册

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UCC37324DR概述

UCC37324DR 产品概述

概述

UCC37324DR 是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款高性能门驱动器,采用8-SOIC封装,专为高频开关应用而设计。其卓越的性能、广泛的供电电压范围以及卓越的电流驱动能力,使其成为驱动 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 的理想选择,适合用于各种功率转换器、DC-DC 转换器和逆变器应用中。

主要特点

  1. 驱动配置与通道类型 UCC37324DR 设有两个独立的驱动通道,分别用于驱动 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,其非反相输入特性确保输出信号与输入信号同相,从而简化了电路设计。

  2. 电源电压范围 本产品的操作电压范围为 4.5V 到 15V,适用于多种供电环境,并可灵活配合不同的电路设计需求。该宽广的供电范围增强了其在各种应用中的适应性。

  3. 输入逻辑电压与输出能力 UCC37324DR 的输入逻辑水平 VIL 和 VIH 分别为 1V 和 2V,这样的设计有助于确保与微控制器及数字系统的兼容性。本型号的峰值输出电流高达 4A(灌入及拉出),此高驱动能力非常适合于需要快速开关的应用场景,可以有效降低开关损耗,提高整体电路性能。

  4. 快速的上升与下降时间 UCC37324DR 典型的上升和下降时间分别为 20ns 和 15ns,这使得其在高频操作下具备良好的响应速度,能够满足高速开关电源和其他高频应用的要求。快速的动态特性确保了在高负载情况下稳态输出的稳定性。

  5. 宽广的工作温度范围 UCC37324DR 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,展现出卓越的环境适应能力,使其能够在苛刻的工作条件中运行,适用于军事、航空航天、汽车及工业控制等高可靠性要求的领域。

  6. 表面贴装型封装 该芯片采用表面贴装型(SMD)封装,芯片尺寸小,便于自动化焊接,可有效节省电路板空间,提高组装效率。8-SOIC 封装形式为广泛应用提供了便利。

应用领域

UCC37324DR 的设计使其在多种应用中表现出色,包括但不限于:

  • 开关电源:在 DC-DC 转换器中高效驱动 MOSFET,改善能效,减少损耗。
  • 逆变器:在光伏逆变器和电动汽车驱动中,提供可靠的功率转换解决方案。
  • 电机驱动:高效驱动电机控制电路,提升控制精度。
  • 电源管理:广泛应于各种消费类和工业设备中的电源管理模块,通过快速开关优化能量使用。

总结

UCC37324DR 是一款综合性能优越的门驱动器,其低端驱动配置、强大的电流输出、宽广的电压与温度范围,以及快速的上升下降时间,使其在多种高性能应用中表现出色。凭借 TI 的可靠性和质量保证,UCC37324DR 既是工程师设计中理想的选择,也是实现高效电源转换和控制系统的关键元器件。