PESD15VL1BA-N 产品概述

一、产品简介

PESD15VL1BA-N 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款双向 TVS 二极管，专为静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌（Surge）保护设计。器件采用 SOD-323 小型封装，适合空间受限的高密度电路板，广泛用于接口保护与信号线防护。

二、主要电气参数

• 极性：双向
• 反向截止电压 Vrwm：15 V
• 击穿电压 Vbr：16.7 V（典型）
• 钳位电压：32 V（在峰值脉冲电流 Ipp 测试条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：10 A
• 峰值脉冲功率 Ppp：320 W（8/20 μs 波形）
• 反向电流 Ir：500 nA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容 Cj：20 pF（典型）
• 防护标准：符合 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5

三、主要特性与优势

• 双向结构可对称钳位正负方向的瞬态脉冲，适用于差分信号和双向接口。
• 低漏电流（500 nA）有利于高阻与敏感模拟通道不会因保护器件引入显著偏流而影响性能。
• 20 pF 的低结电容使其对高速数字信号和高频接口的影响最小，适合 USB、HDMI、LVDS 等高速链路。
• 高峰值功率（320 W@8/20 μs）与 10 A 的峰值脉冲电流保证器件能承受常见的浪涌与瞬态事件。

四、典型应用场景

• USB、串口、以太网等外部接口的过压和静电保护；
• 显示接口（如 MIPI、LVDS）、摄像头模块信号线防护；
• 工业控制、楼宇自控中对抗干扰与浪涌的前端保护；
• 移动设备、便携式终端的外部连接器保护。

五、布局与使用建议

• 将 TVS 器件尽量靠近受保护的连接器或信号入口处放置，缩短环路面积以提高吸收效率。
• 为保证钳位性能，保护器和受保护线之间应保持短、粗的走线；接地回路应低阻并尽可能靠近器件布线。
• 对于极高速或敏感差分信号，若担心额外电容影响，可在评估后与系列阻抗/串联阻抗配合使用。
• 在浪涌环境中，必要时与熔断器或限流元件配合，分担能量，提高系统可靠性。

六、封装与可靠性

SOD-323 小型封装便于表面贴装（SMT）自动化生产，适配回流焊工艺；器件通过 IEC 系列 ESD/EFT/Surge 测试，能够满足工业级和消费类设备的电磁兼容要求。

七、选型要点

选用时关注工作电压和被保护电路的最大允许钳位电压，确保 32 V 钳位不会对下游器件造成伤害；此外注意结电容对信号完整性的影响，如需更低电容可考虑同系列的低 Cj 型号。若应用存在超出 8/20 μs 耐受能力的能量，需要选择更高功率或外加限流器件。

PESD15VL1BA-N 以其小体积、低泄漏、低电容与满足 IEC 标准的保护能力，适合用于对抗日常静电与短时浪涌的前端保护设计。