功率(Pd) | 1.25W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 50pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@2.5V,3.1A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.4nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 200pF | 连续漏极电流(Id) | 3.2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
LN4501LT1G 是一款由乐山无线电(LRC)生产的N沟道场效应管(MOSFET),采用SOT-23封装,广泛应用于低电压、低功耗的电子设备中。该器件以其优异的性能和紧凑的封装尺寸,成为许多便携式电子产品和电源管理系统的理想选择。
低导通电阻:LN4501LT1G在2.5V的栅极电压下,导通电阻(RDS(on))仅为85mΩ,这使得它在低电压应用中能够有效减少功率损耗,提高整体效率。
高电流能力:该器件能够承受高达3.2A的连续漏极电流(Id),适用于需要较高电流输出的应用场景。
低栅极电荷:栅极电荷(Qg)在4.5V的栅极电压下仅为2.4nC,这有助于减少开关损耗,提高开关速度,特别适用于高频开关应用。
宽工作温度范围:LN4501LT1G的工作温度范围为-55℃至150℃,使其能够在极端环境下稳定工作,适用于工业和汽车电子等严苛环境。
低反向传输电容:反向传输电容(Crss)在10V的漏源电压下仅为50pF,这有助于减少开关过程中的电荷注入,提高开关效率。
低阈值电压:阈值电压(Vgs(th))在250μA的漏极电流下为1.2V,这使得该器件在低电压应用中能够快速开启,提高响应速度。
LN4501LT1G凭借其优异的性能,广泛应用于以下领域:
便携式电子设备:如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等,用于电源管理和电池保护电路。
电源管理系统:在DC-DC转换器、负载开关和电池充电管理等电路中,LN4501LT1G能够有效提高系统效率和可靠性。
工业控制:在工业自动化设备中,用于电机驱动、电源开关和信号控制等应用。
汽车电子:在汽车电子系统中,用于发动机控制、车身电子和车载娱乐系统等,确保在严苛环境下稳定工作。
消费电子:如家用电器、数码相机、游戏机等,用于电源管理和信号控制。
LN4501LT1G采用SOT-23封装,这是一种表面贴装封装,具有体积小、重量轻、安装方便等优点。SOT-23封装的尺寸为2.9mm x 1.3mm x 1.1mm,非常适合空间受限的应用场景。
LN4501LT1G是一款高性能的N沟道场效应管,具有低导通电阻、高电流能力、低栅极电荷和宽工作温度范围等优点。其紧凑的SOT-23封装使其适用于各种低电压、低功耗的电子设备中,特别是在便携式电子产品和电源管理系统中表现出色。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,LN4501LT1G都能提供可靠的性能和高效的解决方案。