LN4501LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

LN4501LT1G

商品编码: BM0230657483
品牌 : 
LRC(乐山无线电)
封装 : 
SOT-23(SOT-23-3)
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 3.2A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量10,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.167
按整 :
-(1-有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.167
--
3000+
¥0.148
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

LN4501LT1G参数

功率(Pd)1.25W反向传输电容(Crss@Vds)50pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)85mΩ@2.5V,3.1A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)2.4nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)200pF连续漏极电流(Id)3.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA

LN4501LT1G手册

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LN4501LT1G概述

LN4501LT1G 产品概述

LN4501LT1G 是一款由乐山无线电(LRC)生产的N沟道场效应管(MOSFET),采用SOT-23封装,广泛应用于低电压、低功耗的电子设备中。该器件以其优异的性能和紧凑的封装尺寸,成为许多便携式电子产品和电源管理系统的理想选择。

主要特性

  1. 低导通电阻:LN4501LT1G在2.5V的栅极电压下,导通电阻(RDS(on))仅为85mΩ,这使得它在低电压应用中能够有效减少功率损耗,提高整体效率。

  2. 高电流能力:该器件能够承受高达3.2A的连续漏极电流(Id),适用于需要较高电流输出的应用场景。

  3. 低栅极电荷:栅极电荷(Qg)在4.5V的栅极电压下仅为2.4nC,这有助于减少开关损耗,提高开关速度,特别适用于高频开关应用。

  4. 宽工作温度范围:LN4501LT1G的工作温度范围为-55℃至150℃,使其能够在极端环境下稳定工作,适用于工业和汽车电子等严苛环境。

  5. 低反向传输电容:反向传输电容(Crss)在10V的漏源电压下仅为50pF,这有助于减少开关过程中的电荷注入,提高开关效率。

  6. 低阈值电压:阈值电压(Vgs(th))在250μA的漏极电流下为1.2V,这使得该器件在低电压应用中能够快速开启,提高响应速度。

应用领域

LN4501LT1G凭借其优异的性能,广泛应用于以下领域:

  1. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等,用于电源管理和电池保护电路。

  2. 电源管理系统:在DC-DC转换器、负载开关和电池充电管理等电路中,LN4501LT1G能够有效提高系统效率和可靠性。

  3. 工业控制:在工业自动化设备中,用于电机驱动、电源开关和信号控制等应用。

  4. 汽车电子:在汽车电子系统中,用于发动机控制、车身电子和车载娱乐系统等,确保在严苛环境下稳定工作。

  5. 消费电子:如家用电器、数码相机、游戏机等,用于电源管理和信号控制。

封装与尺寸

LN4501LT1G采用SOT-23封装,这是一种表面贴装封装,具有体积小、重量轻、安装方便等优点。SOT-23封装的尺寸为2.9mm x 1.3mm x 1.1mm,非常适合空间受限的应用场景。

电气特性

  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 连续漏极电流(Id):3.2A
  • 导通电阻(RDS(on)):85mΩ @ 2.5V, 3.1A
  • 栅极电荷(Qg):2.4nC @ 4.5V
  • 输入电容(Ciss):200pF @ Vds
  • 反向传输电容(Crss):50pF @ 10V
  • 阈值电压(Vgs(th)):1.2V @ 250μA
  • 功率耗散(Pd):1.25W
  • 工作温度范围:-55℃ ~ 150℃

总结

LN4501LT1G是一款高性能的N沟道场效应管,具有低导通电阻、高电流能力、低栅极电荷和宽工作温度范围等优点。其紧凑的SOT-23封装使其适用于各种低电压、低功耗的电子设备中,特别是在便携式电子产品和电源管理系统中表现出色。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,LN4501LT1G都能提供可靠的性能和高效的解决方案。