GD25LQ80CEIGR 产品实物图片
GD25LQ80CEIGR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

GD25LQ80CEIGR

商品编码: BM0230686379
品牌 : 
Gigadevice(北京兆易创新)
封装 : 
8-USON(2x3)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
FLASH-NOR-存储器-IC-8Mb-(1M-x-8)-SPI-四-I-O-104MHz-8-USON(2x3)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.02
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.02
--
3000+
¥1.92
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

GD25LQ80CEIGR参数

时钟频率104MHz安装类型表面贴装型
技术FLASH - NOR写周期时间 - 字,页50µs,2.4ms
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)存储器接口SPI - 四 I/O
存储容量8Mb (1M x 8)存储器类型非易失
存储器格式闪存电压 - 供电1.65V ~ 2.1V

GD25LQ80CEIGR手册

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GD25LQ80CEIGR概述

GD25LQ80CEIGR 产品概述

概要

GD25LQ80CEIGR 是由北京兆易创新(Gigadevice)公司生产的一款高性能 FLASH-NOR 存储器集成电路(IC)。这款芯片采用先进的闪存技术,提供了高效、可靠的数据存储解决方案,广泛应用于各种电子设备中。

基础参数

  • 时钟频率: 104 MHz
  • 安装类型: 表面贴装型(SMT)
  • 技术: FLASH - NOR
  • 写周期时间:
    • 字写周期时间: 50 µs
    • 页写周期时间: 2.4 ms
  • 工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
  • 存储器接口: SPI - 四 I/O
  • 存储容量: 8 Mb(1M x 8)
  • 存储器类型: 非易失
  • 存储器格式: 闪存
  • 电压 - 供电: 1.65V ~ 2.1V

封装和尺寸

GD25LQ80CEIGR 采用 8-USON(2x3)封装,这是一种紧凑、低-profile 的封装形式,非常适合现代电子产品的空间要求。这种封装方式不仅节省了 PCB 空间,还提高了产品的可靠性和抗振动能力。

功能特点

高性能 SPI 接口

GD25LQ80CEIGR 支持四线 SPI 接口,包括 SIO0、SIO1、SIO2 和 SIO3。这允许设备在高达 104 MHz 的时钟频率下进行数据传输,显著提高了数据访问速度和系统整体性能。

低功耗设计

该芯片的供电电压范围为 1.65V ~ 2.1V,这使得它非常适合低功耗应用场景。低功耗设计有助于延长电池寿命,减少热量产生,并提高系统的整体效率。

高可靠性写入机制

GD25LQ80CEIGR 具有快速的写入速度,字写周期时间仅为 50 µs,页写周期时间为 2.4 ms。这不仅提高了数据写入效率,还确保了数据的可靠性和完整性。

宽温工作范围

该芯片支持 -40°C ~ 85°C 的宽温工作范围,这使得它可以在各种环境条件下稳定运行,无论是在极寒还是高温条件下,都能保持出色的性能和可靠性。

应用场景

嵌入式系统

GD25LQ80CEIGR 广泛应用于嵌入式系统,如工业控制器、医疗设备、汽车电子等领域。其高性能和低功耗特性使其成为这些系统中的理想选择。

物联网设备

在物联网(IoT)设备中,GD25LQ80CEIGR 可以作为数据存储单元,用于存储配置信息、日志数据或其他重要数据。其小尺寸和低功耗特性特别适合于 IoT 设备的需求。

消费电子产品

该芯片也可以用于消费电子产品,如智能家居设备、可穿戴设备等。其快速的数据访问速度和高可靠性写入机制确保了这些产品的稳定运行和高效性能。

开发支持

北京兆易创新公司提供了全面的一套开发工具和技术支持,包括详细的数据手册、评估板、软件开发包(SDK)等。这些资源有助于工程师快速评估和集成 GD25LQ80CEIGR 芯片,缩短产品开发周期。

总结

GD25LQ80CEIGR 是一款功能强大、性能优异的 FLASH-NOR 存储器 IC。其高性能 SPI 接口、低功耗设计、宽温工作范围以及紧凑的封装形式,使其成为各种电子设备中的理想选择。无论是在嵌入式系统、物联网设备还是消费电子产品中,GD25LQ80CEIGR 都能提供可靠、高效的数据存储解决方案。