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1N5231BTR 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

1N5231BTRRoHS
商品编码:
BM0230804707复制
品牌:
ON(安森美)复制
封装:
DO-35复制
包装:
编带复制
重量:
0.12g复制
描述:
二极管-齐纳-5.1V-500mW-±5%-通孔-DO-35复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
1N5231BTR参数
属性
参数值
二极管配置1个独立式
稳压值(标称值)5.1V
反向电流(Ir)5uA@2V
稳压值(范围)4.845V~5.355V
属性
参数值
耗散功率(Pd)500mW
阻抗(Zzt)17Ω
阻抗(Zzk)1.6kΩ
工作结温范围-65℃~+200℃
1N5231BTR手册
1N5231BTR概述

1N5231BTR齐纳二极管产品概述

一、产品基本识别信息

1N5231BTR是安森美(ON Semiconductor)推出的小功率齐纳稳压二极管,核心功能为提供稳定的5.1V基准电压。该器件采用DO-35轴向通孔封装,适配传统PCB通孔焊接工艺,是电子电路中通用的稳压、基准及过压保护元件,广泛应用于各类低/中功率场景。

二、核心电性能参数解析

该器件的电性能参数经过严格校准,满足通用电路的稳压需求,关键参数如下:

  1. 稳压值特性:标称稳压值为5.1V,稳压范围覆盖4.845V~5.355V(对应±5%精度),适用于对稳压精度要求不苛刻的通用场景(如小型电源稳压、简单基准电路);
  2. 反向漏电流:在反向偏置电压2.0V时,漏电流仅为5μA,体现了良好的反向截止特性,可有效降低电路静态功耗;
  3. 最大耗散功率:额定耗散功率为500mW,即器件连续工作时允许的最大功耗,需结合电路电流控制(如串联限流电阻),避免超功率损坏;
  4. 动态阻抗:包含两个关键阻抗参数——Zzt(动态阻抗,典型测试条件下)为17Ω,Zzk(测试电压下的阻抗)为1.6kΩ。低动态阻抗(Zzt=17Ω)可保证稳压值在工作电流变化时的稳定性,减少电压波动。

三、封装与物理特性

1N5231BTR采用DO-35轴向通孔封装,这是一种成熟的小功率半导体封装形式,具备以下特点:

  • 封装尺寸紧凑(轴向引线设计),便于PCB布局,尤其适合空间受限的小型电路;
  • 通孔焊接方式兼容性强,可适配手工焊接、波峰焊等传统工艺,无需特殊贴装设备;
  • 封装材料具备基础耐温性,配合宽结温范围可满足多场景使用。

四、环境与工作适应性

该器件的工作结温范围为-65℃~+200℃,覆盖了广泛的环境温度区间:

  • 低温端可适应严寒环境(如户外工业设备、低温存储设备);
  • 高温端可承受较高结温(如功率电路附近的散热空间有限场景),无需额外复杂散热设计(需注意实际功耗不超500mW);
  • 宽温特性使其可应用于工业控制、消费电子、小型电源等领域的高低温场景。

五、典型应用场景

结合1N5231BTR的参数特性,其典型应用包括:

  1. 电源稳压电路:作为线性稳压电路的基准或后级稳压元件,为MCU、传感器等低功耗模块提供稳定的5.1V电压;
  2. 过压保护:与电阻串联后并联在敏感元件两端,当输入电压超过稳压值时导通,钳位电压至5.1V左右,保护后端电路免受过压冲击;
  3. 基准电压源:在简单ADC/DAC电路中作为参考电压,满足低精度基准需求;
  4. 电平转换:配合其他元件实现不同电压域(如3.3V与5V)之间的电平匹配,避免电压不兼容问题。

六、品牌与可靠性保障

安森美作为全球知名半导体厂商,1N5231BTR遵循严格的生产工艺与质量管控:

  • 产品符合JEDEC等行业标准,一致性好;
  • 宽结温、低漏电流等参数设计保证了长期工作的可靠性;
  • 适合工业级应用的基础要求,可降低电路故障风险。

综上,1N5231BTR是一款性价比高、通用性强的齐纳二极管,可满足多数低/中功率电路的稳压、基准及保护需求。

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