LBAT54CLT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

LBAT54CLT1G

商品编码: BM0231110380复制
品牌 : 
DOWO(东沃)复制
封装 : 
SOT-23复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
未分类复制
库存 :
2799(起订量1,增量1)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
0.0429
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.0429
--
3000+
¥0.0341
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

LBAT54CLT1G参数

正向压降(Vf)1V@100mA直流反向耐压(Vr)30V
整流电流200mA反向电流(Ir)2uA@25V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)600mA

LBAT54CLT1G手册

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LBAT54CLT1G概述

LBAT54CLT1G 产品概述

一、产品简介

LBAT54CLT1G 是东沃(DOWO)提供的一款小尺寸肖特基势垒二极管,采用 SOT-23 封装,适用于对导通损耗和开关速度有较高要求的小功率场合。型号后缀 C 通常表示双管共阴(或共阳)结构,方便在电源保护与整流电路中实现空间节省与单双通道选择。该器件兼顾低正向压降与低反向漏电,适合便携设备、消费电子和各类开关电源中的整流与保护用途。

二、主要电气参数

  • 正向压降 (Vf):1.0 V @ If = 100 mA
  • 直流反向耐压 (Vr):30 V
  • 最大整流电流 (If):200 mA(连续)
  • 反向电流 (Ir):2 μA @ Vr = 25 V (Ta = 25°C)
  • 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):600 mA(峰值脉冲,单次浪涌能力)

以上参数为典型/最大额定值,设计时应考虑温度与环境因素对 Vf 与 Ir 的影响,必要时参考器件完整数据手册进行热参数与短时极限的评估。

三、产品特点

  • 小型 SOT-23 封装,适合高密度 PCB 布局与自动贴装生产;
  • 低反向漏电,提升在待机或低功耗状态下的能量效率;
  • 较低的正向压降在中等电流范围内可降低功耗与发热;
  • 良好的浪涌承受能力,适合短时启动或突发电流负载;
  • 适用于双通道或共阴(共阳)拓扑,节省 PCB 空间与外部连线。

四、典型应用场景

  • 便携式设备的电源整流与电池反向保护;
  • 开关电源 (SMPS) 的同步整流或输出二极管(在中小功率段);
  • 半导体保护电路(防反接、防反向电压);
  • 信号线路的钳位与保护;
  • 消费电子、通信设备、仪器仪表中低压整流或隔离用途。

五、封装与 PCB 布局建议

  • SOT-23 封装三引脚布置要求注意焊盘尺寸与过孔布局,保证可靠焊接与热扩散;
  • 在 If 接近额定值时,应在焊盘下方与周围预留足够铜箔以改善散热;
  • 对于高频开关场合,走线应尽量短且增大回流面积,减小寄生电感;
  • 若并联使用多个器件,注意对称布局与一致热阻,以避免电流不均。

六、可靠性与使用注意

  • 反向电流会随温度上升显著增加,长期高温工作会降低器件可靠性;
  • 峰值浪涌 Ifsm 为非重复短时脉冲能力,不宜作为长时间过流设计依据;
  • 在设计反向耐压边界时,预留适当裕量(例如 20% 以上)以应对过压瞬态;
  • 储存和回流焊工艺应遵循元件的湿敏等级与回流温度曲线,避免焊接损伤。

七、总结与选型建议

LBAT54CLT1G 以其 SOT-23 小封装、低漏电与中等至低压整流能力,适合用于便携式电源、电池保护与一般整流保护场景。选型时若工作电流长期接近 200 mA,应重点评估散热路径与环境温度;若存在较严苛的浪涌或更高电压需求,应考虑更高额定值的肖特基或其他封装型号。建议结合完整器件规格书与实际应用条件进行最终确认。