ESD9L5.0ST5G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ESD9L5.0ST5G

商品编码: BM0231110383复制
品牌 : 
DOWO(东沃)复制
封装 : 
SOD-923复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
未分类复制
库存 :
4401(起订量1,增量1)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
0.07961
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.07961
--
8000+
¥0.0701
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

ESD9L5.0ST5G参数

极性单向反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压20V峰值脉冲电流(Ipp)4.5A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)100W@8/20us击穿电压6V
反向电流(Ir)1uA通道数单路
工作温度-55℃~+125℃防护等级IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESDCj-结电容0.5pF

ESD9L5.0ST5G手册

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ESD9L5.0ST5G概述

ESD9L5.0ST5G 产品概述

一、产品简介

ESD9L5.0ST5G(品牌:DOWO/东沃)是一款单路、单向低容抗静电与浪涌保护二极管,采用紧凑的 SOD-923 封装,面向高速接口与敏感信号管脚的瞬态过压保护设计。器件兼顾低结电容与高脉冲吸收能力,适合在空间受限且要求高速信号完整性的应用场合使用。

二、主要性能特点

  • 钳位电压(VC):20V(典型条件下@峰值脉冲)
  • 峰值脉冲功率(Ppp):100W @ 8/20μs
  • 峰值脉冲电流(Ipp):4.5A @ 8/20μs
  • 反向静态截止电压(Vrwm):5V,击穿电压(Vbr):6V(象征性阈值)
  • 结电容(Cj):0.5pF,适合高速数据线(如 USB、HDMI、SATA 等)
  • 反向漏电流(Ir):≤1μA
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 符合 IEC 61000-4-2(静电放电)与 IEC 61000-4-5(浪涌)防护等级

三、电气与环境规格说明

器件以单向 TVS(瞬态电压抑制)形式工作,正常工作电压下反向漏电小于 1μA,可长期并联在线路上。大电流脉冲条件下钳位电压约 20V,Ppp=100W(8/20μs)表示短时浪涌时具有良好的能量吸收能力。超低结电容(0.5pF)有效降低对高速信号的影响,适用于要求高信号完整性的接口保护。

四、封装与物理特性

  • 封装:SOD-923,体积小,便于贴片自动化生产与高密度布板
  • 通道数:单路;极性:单向
  • 推荐布局:靠近被保护引脚放置,走线最短最粗以降低串联电阻与感抗,接地回路要短且低阻抗

五、典型应用场景

  • 移动终端、摄像头模块、高速数据接口(USB、MIPI、LVDS)
  • 工业控制和通信设备的信号线保护
  • 需要同时满足静电放电与雷击浪涌防护的板级保护点

六、选型与使用注意事项

  • 依据系统工作电压选择 Vrwm(本型号 Vrwm=5V,适合 5V 及以下系统保护)
  • 钳位电压随脉冲电流变化,设计时应考虑最大允许电压对下游器件的承受能力
  • 布局时将 TVS 与地线间的回路尽可能短,以提高释放效率并降低感性峰值
  • 高能脉冲多次冲击会引起器件发热或退化,关键场合建议配合熔断器或串联限流元件以提升系统可靠性

以上为 ESD9L5.0ST5G 的概述与应用建议。如需更详细的 IV 曲线、波形响应或封装图及焊接工艺参数,可提供器件数据手册进一步确认。