BZM55C8V2-TR 产品概述

一、概述

BZM55C8V2-TR 是 VISHAY（威世）生产的一款微型 MicroMELF 封装稳压二极管，标称稳压值 8.2V，适用于对体积和漏电要求严格的低功耗稳压、基准和浪涌钳位场合。器件具有小尺寸、良好的热传导和玻璃封装的长期可靠性，适合自动贴装（-TR 表示卷带供料）。

二、主要电气参数

• 标称稳压值（Vz）：8.2 V
• 稳压值范围：7.7 V ～ 8.7 V（器件批次及测试容差）
• 反向电流（Ir）：100 nA（在规定的偏压和温度条件下为参考漏电值）
• 最大耗散功率（Pd）：500 mW（在规定的环境条件下器件允许的最大总耗散）
• 动态阻抗：Zzt = 6.2 Ω，Zzk = 7 Ω（表示在不同测试点附近的交流阻抗特性）
• 封装：MicroMELF（细长玻璃封装，适合表面贴装与自动化装配）
  以上参数为器件典型或厂标值，实际选型与电路设计应参考完整数据手册中的测试条件与曲线。

三、典型应用场景

• 小电流稳压源与基准：便于在低功耗或便携式设备中提供稳定电压参考。
• 过压/浪涌钳位：与串联电阻或限流元件配合，吸收瞬时浪涌或限制电压上升。
• 模拟/数字混合系统的局部基准：为电路提供一个接近 8.2V 的稳压点，用于比较器或供电监测。
• 仪表与传感前端：当系统要求低漏电以降低漂移或节省待机能耗时适用。

四、简单应用与计算示例

典型的稳压（并联式）使用方法：将 BZM55C8V2 与串联限流电阻 Rs 连接在输入电源和负载之间，使二极管在要求的稳压电流范围内工作。计算方法：

• 设输入电压 Vin，目标稳压 Vz = 8.2 V，期望二极管工作电流 Iz（由负载和线性损失决定），则 Rs ≈ (Vin − Vz) / (Iz + Iload)，并保证 Iz 不低于稳压区所需的最低电流且器件耗散 Pd = (Vz × Iz) ≤ 500 mW。
  举例：若 Vin = 12 V，选 Iz = 5 mA，则 Rs ≈ (12 − 8.2) / 5 mA ≈ 760 Ω；此时二极管耗散约 8.2 V × 5 mA = 41 mW，远低于 Pd 上限。

五、使用与装配注意事项

• 功率限制：Pd = 500 mW 为总耗散上限，实际使用中需留有安全裕度并注意环境温度与散热条件。
• 温度与热阻：MicroMELF 封装热阻较小，但在高温或密集布板情况下应注意降额与热管理。
• 焊接与可靠性：采用厂家推荐的回流焊工艺，避免过高温度和过长加热时间；玻璃封装对机械应力敏感，贴装时注意对称焊盘与良好焊点质量。
• 反向漏电：Ir ≤ 100 nA，在极低电流测量或高阻抗电路中仍可能产生影响，设计时应考虑漏电对整体偏置的贡献。
• ESD 与浪涌保护：尽管具备一定钳位能力，但在强烈浪涌或反复冲击情形下应辅以限流或吸收元件。

六、封装与订购信息

BZM55C8V2-TR 为 MicroMELF 小型玻璃封装，-TR 表示卷带（Tape & Reel）出货方式，适合 SMT 自动贴装。订购和设计前建议查阅 VISHAY 最新数据手册以获得完整的引脚图、焊盘建议、温度曲线和典型特性曲线。

总结：BZM55C8V2-TR 以其稳定的 8.2V 输出、低漏电和微小 MicroMELF 封装，适合低功耗、小尺寸和精密参考场合，但在功率与热管理方面需按 Pd 限值谨慎设计。