PSPMAA1050H-220M-ANP 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PSPMAA1050H-220M-ANP

商品编码: BM0257666071复制
品牌 : 
PROD(谱罗德)复制
封装 : 
SMD-2P,10x11.5mm复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
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描述 : 
功率电感 22uH ±20% SMD-2P,10x11.5mm复制
库存 :
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产品参数
产品手册
产品概述

PSPMAA1050H-220M-ANP参数

电感值22uH精度±20%
额定电流6A饱和电流(Isat)7A
直流电阻(DCR)65mΩ类型一体成型电感

PSPMAA1050H-220M-ANP手册

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PSPMAA1050H-220M-ANP概述

PSPMAA1050H-220M-ANP — 22µH 一体成型功率电感 产品概述

一、产品简介

PSPMAA1050H-220M-ANP 为谱罗德(PROD)系列一体成型功率电感,电感值为 22µH,公差 ±20%,面向高电流开关电源与电源滤波场合。器件采用 SMD-2P 封装,外形尺寸 10 × 11.5 mm,结构为一体成型(molded)设计,兼顾机械强度与热散性能,适合自动贴装与回流焊工艺。器件具备较低的直流电阻(DCR = 65 mΩ)和良好的电流处理能力(额定电流 6A,饱和电流 Isat 7A),在 DC-DC 降压、功率滤波和输出滤波等系统中可提供稳定的能量存储与纹波抑制。

二、主要性能亮点

  • 电感值:22µH,适用于中高量级能量储存与滤波需求。
  • 精度:±20%,满足电源滤波和去耦对电感容差不严格的设计场景。
  • 额定电流:6A,适合中大电流连续供电应用。
  • 饱和电流(Isat):7A,保证在短时脉冲或瞬态过载下仍有较好的电感保持能力。
  • 直流电阻(DCR):65 mΩ,损耗较低,有利于降低功耗和温升。
  • 封装:SMD-2P,尺寸 10×11.5 mm,适配自动化贴装与紧凑 PCB 布局。
  • 结构:一体成型,提高抗振性能与长期可靠性。

三、典型应用场景

  • 开关电源(DC-DC 降压/升压)输出侧或输入侧滤波。
  • 汽车电子中低压电源(需确认温度与可靠性指标)。
  • LED 驱动与电流源电路的能量传输与滤波。
  • 工业控制电源、通讯设备电源模块。
  • EMI/EMC 滤波与直流链路去耦。

四、关键电气与机械参数(摘要)

  • 型号:PSPMAA1050H-220M-ANP
  • 电感值:22 µH ±20%
  • 额定电流:6 A(连续)
  • 饱和电流(Isat):7 A(典型)
  • 直流电阻(DCR):65 mΩ
  • 类型:一体成型功率电感(molded)
  • 封装:SMD-2P
  • 外形尺寸:10 × 11.5 mm
  • 品牌:PROD(谱罗德)

(注:如需完整的额定温度范围、频率特性、功率损耗曲线与回流焊曲线,请参考厂商详细数据手册或向供应商索取完整规格书。)

五、设计与使用建议

  • 电流与饱和裕量:在持续工作下建议按额定电流 6A 或更低设计,若电路中存在较大脉冲电流,应考量 Isat=7A 的饱和边界并留有安全裕度,避免在饱和区长期工作导致电感值骤降和功率损耗增加。
  • 温升与热管理:尽量靠近热源或使用铜箔散热路径来降低温升。较低的 DCR 有助于减小损耗,但在高负载下仍需关注器件自发热和周围元器件的温度累积。
  • PCB 布局:两端焊盘应尽量扩大并与地/电源层有良好热连接,走线短且粗,减少额外寄生阻抗。避免在电感附近放置热敏器件或影响磁场的敏感元件。
  • EMI 考量:该电感在滤波应用中效率高,但磁通可能对邻近器件产生影响,关键场合应评估磁泄漏并根据需要加入屏蔽或调整布局。
  • 焊接工艺:支持常规回流焊工艺,建议遵循厂商推荐的温度曲线与最大允许回流次数以保证可靠性。
  • 测试与验证:测量 DCR 建议使用四线法以获得准确值;测定 Isat 或 L vs I 曲线时,应在实际工作频率和温度下评估电感随电流变化的性能,以确保设计裕度。

六、典型电路示例(应用提示)

  • 降压 DC-DC 输出:与肖特基二极管/同步 MOSFET、输出电容共同构成 LC 滤波,22µH 适用于较低开关频率或较大能量存储需求的方案。
  • 输入滤波:用于抑制来自电源侧的开关噪声,与高频电容并联形成滤波器。
    在实际选型时建议结合工作频率、所需纹波电流与允许的体积,必要时通过仿真或实测优化电感值与电容组合。

如需完整数据手册(包括频率响应、温度特性、机械尺寸图与回流曲线),或想获取样品/报价,可告知用途与批量需求,我可协助提供后续支持。