15N10 产品概述

一、产品简介

15N10 是 TECH PUBLIC（台舟电子）出品的一款功率型N沟道硅MOSFET，耐压等级为100V，适用于中低功率开关和电源管理场景。器件采用TO-252（DPAK）封装，结合较低的导通电阻和中等开关电荷特性，在商业和工业供电、DC-DC变换以及负载开关等场合具有良好的性价比。

二、主要电气参数

• 漏源电压 Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：14.7A（注：实际允许电流受封装散热条件影响）
• 导通电阻 RDS(on)：100mΩ @ Vgs=10V，Id=8A
• 耗散功率 Pd：22.2W（额定值，需结合散热设计）
• 栅极电荷量 Qg：60nC（典型）
• 输入电容 Ciss：882pF @ Vgs=15V
• 反向传输电容 Crss：44pF @ Vgs=15V
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：TO-252（DPAK）
• 品牌：TECH PUBLIC（台舟电子）

三、性能特点

• 100V 耐压适合48V母线或更低电压系统的高边/低边开关应用。
• RDS(on) ~100mΩ 在10V栅压下表现出较低导通损耗，适合中等电流场合。
• Qg=60nC、Ciss较大，表明在高频开关时需要配备足够驱动能力的栅极驱动电路，且开关损耗随频率显著增加。
• TO-252 封装便于表面贴装并兼顾热性能，适合自动化贴装与波峰/回流焊工艺。

四、热与封装考虑

• 额定耗散功率22.2W为参考值，实际散热能力取决于PCB铜箔面积、夹层散热和环境温度。
• 建议在PCB设计中使用大面积散热铜箔并通过过孔连接多层铜层，以降低结-环境热阻。
• 对于持续高电流工作，应做热仿真并考虑外加散热片或风冷，避免靠近器件最高结温。

五、典型应用场景

• DC-DC 降压/升压转换器中的低侧开关或同步整流（需评估开关速度与损耗）。
• 48V或24V系统的负载开关、逆变器辅助电路、充放电保护与电源管理模块。
• 工业控制、照明驱动、电机控制的中等功率开关单元。

六、驱动与使用建议

• 推荐栅极驱动电压：10–12V，以达到标称RDS(on)并保证快速开通。
• 由于Qg与Ciss偏大，驱动器需具备足够的峰值电流能力；在高速开关时建议并联适当的栅阻以抑制振铃与电磁干扰。
• Crss=44pF 意味着存在明显米勒效应，注意在开关瞬间栅极-漏极耦合导致的电压回升，必要时加入缓冲或斜率控制手段。
• 在设计PCB走线时，尽量缩短栅极、漏源与驱动地的回流路径以降低寄生感抗。

七、可靠性与焊接注意

• 芯片工作温度范围广，可应用于严苛环境，但长期可靠性依赖于结温控制。
• 符合常见回流焊工艺，建议遵循厂家推荐的焊接温度曲线与湿敏等级（请参见 TECH PUBLIC 的包装与焊接规范）。
• 存储与装配过程中注意防静电保护（ESD），并避免长时间暴露在高湿或腐蚀性气氛。

总结：15N10 为一款面向通用电源与开关应用的100V N沟MOSFET，特点是在TO-252 小型封装下提供中等电流能力与合理导通电阻，适用于需要兼顾成本和性能的工程设计。设计时需重视散热与栅极驱动电路，以充分发挥其性能。若需更详细的电气特性曲线或封装机械尺寸，请参考 TECH PUBLIC 的正式数据手册。