DTC114EUA 产品实物图片
DTC114EUA 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC114EUA

商品编码: BM0258661611复制
品牌 : 
HXY MOSFET(华轩阳电子)复制
封装 : 
SOT-323复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
数字晶体管 50V 50mA NPN SOT-323复制
库存 :
1000(起订量1,增量1)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
0.345
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.345
--
200+
¥0.115
--
1500+
¥0.0719
--
3000+
¥0.057
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC114EUA参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)50mA
耗散功率(Pd)200mW直流电流增益(hFE)30@5mA,5V
最小输入电压(VI(on))3V@10mA,0.3V最大输入电压(VI(off))500mV@100uA,5V
输出电压(VO(on))300mV@10mA,0.5mA输入电阻10kΩ
电阻比率1工作温度-55℃~+150℃

DTC114EUA手册

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无数据

DTC114EUA概述

DTC114EUA — 50V/50mA 数字晶体管(NPN,SOT-323)产品概述

一、概述

DTC114EUA 是华轩阳电子(HXY MOSFET)推出的一款集成基极限流电阻的 NPN 数字晶体管,采用紧凑的 SOT-323 封装,面向 MCU 接口驱动、低功耗开关和小信号负载控制场景。器件在单芯片上内置输入电阻,减少外部元件并简化 PCB 布局,适合体积受限的便携及消费电子产品。

二、主要规格参数

  • 集—射极击穿电压 Vceo:50 V
  • 集电极持续电流 Ic:50 mA(峰值/短时参数需参考详细数据手册)
  • 最大耗散功率 Pd:200 mW(封装热阻与环境有关,需按环境温度降额)
  • 直流电流增益 hFE:典型 30(测试条件:Ic=5 mA,VCE=5 V)
  • 输入开启电压 VI(on):约 3 V(测试条件:输入电流或测试说明见数据表)
  • 输入关闭电压 VI(off)(最大):500 mV(测试条件:IB≈100 μA,VCC=5 V)
  • 输出饱和电压 VO(on):约 300 mV @ Ic=10 mA(小电流下保持低饱和)
  • 输入电阻(内置):10 kΩ(器件内部固定阻值,减少外部限流电阻需求)
  • 电阻比率:1(器件内部阻值配置说明)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:SOT-323(超小型,便于高密度安装)

三、特点与优势

  • 集成限流电阻,免去外接基极电阻,电路更简洁;
  • 低 VO(on)(≈300 mV @ 10 mA),开关损耗小,适合驱动小型继电器、LED 与 TTL/CMOS 门级输入;
  • 较高的 VCEo(50 V)可用于高电压边沿切换或较高电源轨的场合;
  • 小封装适合移动设备和空间受限的应用;
  • 宽温度范围适用于工业级及严苛环境。

四、典型应用场景

  • MCU/逻辑电平到功率输出的接口(按内置电阻直接驱动小负载);
  • 指示灯/小型 LED 驱动;
  • 继电器、固态负载的小电流驱动;
  • 开漏输出、低边或高边开关(视电路拓扑);
  • 通用开关元件,用于信号整形与电平移位。

五、选型与使用注意事项

  • 虽然标称 Ic 可达 50 mA,但受限于封装耗散 Pd(200 mW)与 VO(on),建议在连续工作时将 Ic 限定在较低值以避免过热;
  • 计算示例:若需驱动 10 mA 负载,hFE≈30,所需基极电流约 0.33 mA;内置 10 kΩ 输入电阻在 3 V 输入时提供约 0.3 mA,满足驱动需求;
  • 对于开关高电压或频繁开关的场合,应关注瞬态能量与尖峰电流,必要时在集电极回路增加限流或吸收元件;
  • SOT-323 热性能有限,布局时注意加大铜箔散热并依据环境温度进行功耗降额;
  • 生产选型时核对完整数据手册中的各项测试条件(温度、测试电流与电压)以确保在目标工况下满足指标。

六、封装与热管理

SOT-323 提供小体积安装优势,但热阻较大。若连续功耗接近 Pd,需通过 PCB 铜箔、散热层或减小占空比来降低结温,确保长时间可靠性。工作温度上限 +150 ℃ 指的是器件极限,实际应用中应根据功耗和结温降额使用。

七、结论与建议

DTC114EUA 以其集成限流电阻、低饱和压降和 50 V 的耐压能力,适合用于 MCU 接口驱动、小功率负载开关以及空间受限的电子设备。推荐在典型 1–10 mA 负载场景下使用,关注热设计与输入电压匹配可获得最佳可靠性和性能。如需在更高电流或更高功耗场合应用,请参考华轩阳的完整数据手册或选用更大封装/更高 Pd 的元件。