2N2222A 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2N2222A

商品编码: BM0258661710复制
品牌 : 
HXY MOSFET(华轩阳电子)复制
封装 : 
TO-92复制
包装 : 
袋装复制
重量 : 
复制
描述 : 
三极管(BJT) 300MHz 600mA NPN TO-92复制
库存 :
1000(起订量1,增量1)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
0.131
按整 :
袋装(1袋装有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.131
--
50+
¥0.0658
--
1000+
¥0.0498
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

2N2222A参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V耗散功率(Pd)625mW
直流电流增益(hFE)300@150mA,10V特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)10nA集射极饱和电压(VCE(sat))600mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

2N2222A手册

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2N2222A概述

2N2222A 产品概述 — HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-92 封装

一、概述

2N2222A 是一款通用型 NPN 双极结晶体管,适合开关与放大场合。由 HXY MOSFET(华轩阳电子)提供的该型号以 TO-92 塑料封装供应,具有 600mA 的集电极电流能力、40V 的集电极-射极击穿电压及较高的频率特性(fT≈300MHz),在小体积、高性价比场合表现稳定可靠,常见于中小功率驱动、电平转换和高速开关电路。

二、主要参数

  • 晶体管类型:NPN(BJT)
  • 最大集电极电流 Ic:600 mA
  • 集-射击穿电压 Vceo:40 V
  • 额定耗散功率 Pd(TO-92,常温):625 mW
  • 直流电流增益 hFE:约 300(测量条件:Ic=150 mA,Vce=10 V)
  • 特征频率 fT:300 MHz(适合快速开关)
  • 集电极截止电流 Icbo:≈10 nA(室温)
  • 集-射饱和电压 VCE(sat):约 600 mV(在大电流工况,如 IC≈500 mA 时测得;低电流时更低)
  • 射-基击穿电压 Vebo:6 V
  • 工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃
  • 封装:TO-92;数量:1 只

三、特点与优势

  • 高频特性良好:fT ≈ 300 MHz,适用于需要快速开关或射频前级的应用。
  • 高增益:在中等大电流条件下 hFE 可达 ~300,有利于减小基极驱动功率。
  • 低漏电流:Icbo 约 10 nA,便于在高阻抗或待机电路中维持低泄漏。
  • 工艺成熟、成本低:TO-92 小型封装便于手工焊接与快速原型开发。
  • 宽温度范围:满足工业级温度要求,适用性强。

四、典型应用

  • 直流/脉冲开关:继电器、继电器驱动、小电流电机驱动。
  • 放大器:小信号放大、前置放大器、模拟电路增益级。
  • 电平转换与缓冲:逻辑信号接口、电流放大与驱动。
  • 高速开关电路与脉冲形成:由于频率响应好,可用于MHz级别的开关场合。
  • 通用电子教学与原型设计:常用于实验板与教育演示。

五、使用建议与注意事项

  • 热管理:TO-92 封装的耗散功率有限(Pd≈625 mW),在高 Ic 或连续工作时应注意散热与限流,必要时降低占空比或改用更大功耗封装。
  • 驱动设计:尽管 hFE 在中高电流时较高,切勿在饱和区盲目依赖高增益;驱动基极时建议按所需 IC 和所需 VCE(sat) 配置合适的基极电流(一般 IB ≈ IC/10 或根据饱和要求调整)。
  • 极限电压与反向保护:Vebo≈6 V,基射间反向电压较低,避免对基射施加较大反向电压;电路中可加限流或反向保护二极管。
  • 引脚核实:TO-92 的引脚排列因厂商略有差异,常见平面朝前时自左至右为 E-B-C,但请以 HXY 产品数据手册为准再接线。

六、封装与采购信息

  • 封装形式:TO-92 塑料直插,适合手工焊接与直插 PCB。
  • 品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)。
  • 建议在采购与设计阶段参照厂方完整数据手册确认具体引脚排列、热阻参数与典型曲线,以确保电路可靠性。

总结:HXY 出品的 2N2222A(TO-92)在小功率开关与中频放大场合表现均衡,兼具较高增益与良好频率响应,是实验、教学及轻负载工业应用的常用选择。