S9015 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

S9015

商品编码: BM0258661897复制
品牌 : 
HXY MOSFET(华轩阳电子)复制
封装 : 
SOT-23复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 45V 100mA PNP SOT-23复制
库存 :
3000(起订量1,增量1)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
0.11
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.11
--
200+
¥0.0367
--
1500+
¥0.0229
--
3000+
¥0.0182
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

S9015参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)300@1mA,5V特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集射极饱和电压(VCE(sat))300mV
射基极击穿电压(Vebo)5V

S9015手册

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S9015概述

S9015 产品概述

一、产品简介

S9015 是华轩阳电子(HXY MOSFET)推出的一款小功率 PNP 双极晶体管,采用 SOT-23 封装,面向便携式电子、信号放大与高侧开关等应用场景。器件在低电流工作点下具有很高的直流电流增益,兼顾较好的频率特性和低泄漏特性,适合对体积、成本和频响有要求的消费类与工业类产品。

二、主要技术参数

  • 晶体管类型:PNP
  • 最大集电极电流 Ic:100 mA
  • 集电极—射极击穿电压 Vceo:45 V
  • 最大耗散功率 Pd:200 mW(SOT-23,环境温度和电路热设计影响实际功耗)
  • 直流电流增益 hFE:300 @ Ic=1 mA, Vce=5 V(低电流高增益)
  • 特征频率 fT:150 MHz(适用于高频小信号放大)
  • 集电极截止电流 Icbo:100 nA(低泄漏)
  • 集电极—射极饱和电压 VCE(sat):300 mV(在饱和状态下压降小)
  • 射极—基极反向击穿 Vebo:5 V
  • 封装:SOT-23
  • 品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)

三、性能特点与优势

  • 高增益:在小电流(≈1 mA)工作点 hFE 高达 300,适合低功耗前置放大器与电平转换。
  • 高频性能良好:fT = 150 MHz,能够支持宽带、小信号放大与高频开关应用。
  • 低泄漏:Icbo 仅 100 nA,有利于静态功耗受限的电路或高阻抗输入场合。
  • 低饱和压降:VCE(sat) ≈ 300 mV,有助于在开关应用中降低功耗和热量产生。
  • 小外形:SOT-23 封装便于表面贴装,节省 PCB 面积,适合批量装配。

四、典型应用场景

  • 便携式设备的音频前置放大、传感器信号放大。
  • 单电源系统中的高侧开关与电平转换(因其为 PNP,适合正极侧控制场合)。
  • 通用小信号开关:驱动继电器、LED 或作为电流镜的分流元件。
  • 高频小信号放大器与缓冲级,适用于无线或通信终端的某些前端电路。

五、使用建议与注意事项

  • 工作极限:实际使用时请务必留出裕量,避免长时间在接近 Ic、Vceo 或 Pd 的条件下工作。SOT-23 的 Pd 受环境温度与 PCB 散热影响较大,需做热设计与降额(详见厂家热参数与温度系数)。
  • 饱和导通驱动:若用于开关并需进入饱和区,基极驱动电流应足够(实际饱和 hFE 远低于直流 hFE)。常规经验在大电流切换时采用较大的基极电流以保证低 VCE(sat)。
  • 反向基极电压:避免使 BE 反向电压超过 Vebo = 5 V,否则可能损伤结。
  • PCB 布局:SOT-23 应采用短引线、加大散热铜箔或加热沉处理,提高持续功率能力。对于高频应用,应注意地线回流与走线阻抗控制。
  • 引脚定义与电气连接请以华轩阳电子数据手册为准,生产批次与封装标识请核对。

S9015 以其高 hFE、良好频率响应与小封装,适合在体积受限且对低电平信号处理要求较高的电路中替代传统中低频三极管。选型与电路设计时,请参考完整数据手册及热设计指南以确保长期可靠性。