LM321 产品实物图片
LM321 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

LM321

商品编码: BM0258662241复制
品牌 : 
HXY MOSFET(华轩阳电子)复制
封装 : 
SOT-23-5L复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
运算放大器 7mV 单路 250nA SOT-23-5L复制
库存 :
3875(起订量1,增量1)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
0.217
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.217
--
200+
¥0.14
--
1500+
¥0.122
--
3000+
¥0.108
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

LM321参数

放大器数单路最大电源宽度(Vdd-Vss)32V
增益带宽积(GBP)1MHz输入失调电压(Vos)7.9mV
压摆率(SR)400V/ms输入偏置电流(Ib)500nA
输入失调电流(Ios)5nA噪声密度(eN)40nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)85dB静态电流(Iq)430uA
输出电流40mA工作温度-40℃~+85℃
单电源3V~30V

LM321手册

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LM321概述

LM321 单路运算放大器(HXY MOSFET 华轩阳电子)产品概述

LM321 为单路通用运算放大器,采用 SOT-23-5L 小封装,面向便携式、电源受限和空间受限的模拟前端应用。该器件在单电源和宽电源电压范围内工作,具备较好的增益带宽与快速的瞬态响应,适合信号调理、缓冲、滤波与驱动小负载等场景。

一、主要规格一览

  • 放大器数:单路
  • 最大电源差(VDD–VSS):32 V
  • 单电源工作范围:3 V ~ 30 V
  • 增益带宽积(GBP):1 MHz
  • 输入失调电压(Vos):典型 7.9 mV
  • 压摆率(SR):400 V/ms
  • 输入偏置电流(Ib):约 500 nA
  • 输入失调电流(Ios):约 5 nA
  • 噪声密度(en):40 nV/√Hz @1 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):85 dB
  • 静态电流(Iq):430 μA
  • 输出电流能力:最大 40 mA
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 封装:SOT-23-5L
  • 品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)

二、性能特点与优势

  • 宽电源电压:支持 3 V 至 30 V 单电源供电,且最大电源差可达 32 V,方便与多种系统电源匹配。
  • 低静态功耗:静态电流约 430 μA,适合功耗敏感的便携设备。
  • 适中带宽与快速响应:1 MHz 的增益带宽与 400 V/ms 的高压摆率,可在较宽频带内保证较快的输出跟踪性能,适合滤波器和缓冲放大。
  • 低噪声表现:1 kHz 处 40 nV/√Hz 的噪声密度,有利于低噪放大器应用与传感器前端。
  • 中等偏置与失调:输入偏置电流与失调电压处于典型通用放大器级别,单端高阻抗源时需注意偏置带来的误差。

三、典型应用场景

  • 传感器信号调理(温度、压力、加速度等低频传感器)
  • 缓冲器与电压跟随器,用于阻抗变换与稳定驱动下一级电路
  • 主动滤波与音频前置放大(低至中等带宽需求)
  • 电平移位、比较器预放大与小功率驱动负载(<40 mA)
  • 电池供电与便携设备中对体积与功耗敏感的模拟电路

四、封装与布局建议

  • SOT-23-5L 小封装适合 PCB 面积受限设计。布局时建议将电源去耦电容(例如 0.1 μF 陶瓷并联 1 μF~10 μF)尽可能靠近 VCC 与 GND 引脚放置,减少环路电感。
  • 输入引脚尽量缩短走线,弱信号线使用地线屏蔽或单点接地,以降低噪声拾取和偏置引入误差。
  • 输出驱动接近 40 mA 时注意 PCB 散热与温升,避免长期在极限工况下工作。

五、设计注意事项

  • 噪声与失调:对于高精度测量,应在电路级加上失调校准或差分测量,必要时用滤波减少高频干扰。
  • 共模范围与输出摆幅:该器件并未明确标称轨到轨输入/输出,设计时应验证输入共模范围及输出在所用电源与负载下的实际摆幅。
  • 旁路与稳定性:在高增益或驱动容性负载时注意相位裕度,必要时并联小电阻或采用补偿网络保障稳定。

总结:LM321(HXY MOSFET 华轩阳电子,SOT-23-5L)为一款面向通用信号调理与便携应用的单路运算放大器,结合宽电源范围、适中带宽、较低噪声和小封装特点,在体积受限且对性能有一定要求的模拟前端设计中具有良好性价比。设计时注意电源去耦、输入布局与失调管理以获得最佳表现。