
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 2A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 特征频率(fT) | 320MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV |
ROHM(罗姆)推出的2SCR512P5T100是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-89-3小功率贴片封装,兼具中等电流能力、高增益与低损耗特性,适用于消费电子、工业控制及射频辅助电路等场景,是罗姆常规晶体管产品线中的高性价比型号。
该器件的关键参数平衡了功率、频率与开关特性,核心指标如下:
参数 典型值/最大值 实际应用意义 集电极连续电流(Ic) 2A(最大值) 可稳定驱动中等负载(如小继电器、多并联LED) 集射极击穿电压(Vceo) 30V(最大值) 覆盖12V/24V等低压系统,避免过压击穿 最大耗散功率(Pd) 500mW(最大值) 需注意散热设计(如PCB散热焊盘) 直流电流增益(hFE) 200(典型值) 信号放大能力强,简化多级放大设计 特征频率(fT) 320MHz(典型值) 支持FM射频(88-108MHz)、100MHz以下高速开关 集射极饱和压降(VCE(sat)) 200mV(典型值) 开关导通损耗极低,提升电路效率 集电极截止电流(Icbo) 1μA(最大值) 漏电流极小,保证截止状态稳定性2SCR512P5T100采用SOT-89-3贴片封装,顶部视角引脚顺序(左→右):
封装优势:
结合参数特性,该器件主要应用方向包括:
中等功率放大电路
低损耗开关电路
高速逻辑与小型驱动
2SCR512P5T100的核心竞争力体现在:
为保证长期稳定工作,需注意以下要点:
综上,ROHM 2SCR512P5T100是一款性价比突出、应用范围广的NPN三极管,适合对电流、频率、封装有综合要求的电路设计,是消费电子、工业控制等领域的理想选择。