NSI8141W1 产品实物图片
NSI8141W1 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NSI8141W1

商品编码: BM0259368919复制
品牌 : 
NOVOSENSE(纳芯微)复制
封装 : 
SOIC-16-300mil复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
高可靠性4通道5kV耐压标准数字隔离器复制
库存 :
988(起订量1,增量1)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
4.31
按整 :
编带(1编带有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.31
--
100+
¥3.45
--
1000+
¥3.3
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

NSI8141W1参数

正向通道数3反向通道数1
最大数据速率150Mbps默认输出高电平
隔离电压(Vrms)5000CMTI(kV/us)150kV/us
工作温度-40℃~+125℃工作电压(VCCA)2.5V~5.5V
工作电压(VCCB)2.5V~5.5V传播延迟(tpd)15ns

NSI8141W1手册

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NSI8141W1概述

NSI8141W1 产品概述

一、产品简介

NSI8141W1 是纳芯微(NOVOSENSE)推出的一款高可靠性 4 通道数字隔离器(3 路正向,1 路反向),提供 5kV RMS 的隔离耐压和出色的抗共模瞬变性能。器件支持高达 150Mbps 的最大数据速率,传播延迟约 15ns,默认输出为高电平,适用于工业级、汽车级和电力电子等需要强隔离与高速数字传输的场合。封装形式为 SOIC-16-300mil,工作温度范围 -40℃ 至 +125℃,供电域电压 VCCA / VCCB 均支持 2.5V ~ 5.5V。

二、主要特性

  • 隔离耐压:Vrms = 5000 V,满足严格的电气隔离要求
  • 通道配置:3 路 A→B(正向),1 路 B→A(反向)数字通道
  • 最大数据速率:150 Mbps,支持高速数字接口
  • 传播延迟(tpd):典型 15 ns,低延时适配时间敏感应用
  • CMTI(抗共模瞬变率):150 kV/µs,优异的抗噪声能力
  • 默认输出:高电平(failsafe),方便系统上电或隔离侧失电时保持确定状态
  • 工作电压:VCCA、VCCB = 2.5V ~ 5.5V,支持不同电平域直接互联
  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃,适应严苛环境
  • 封装:SOIC-16-300mil,适合标准 PC 板组装与散热设计

三、功能与引脚要点

  • 器件内部采用高速数字隔离技术,实现逻辑信号跨隔离栅可靠传输。三路正向与一路反向通道常用于主控侧到功率侧的命令与反馈信号隔离。
  • 默认高电平设计可在隔离侧电源断电或未上电时将输出拉至高电平,降低系统进入不确定状态的风险。
  • 双电源域独立供电设计(VCCA/VCCB),支持逻辑电平移位,便于不同供电系统直接互联。

四、典型应用场景

  • 工业控制与自动化:PLC、驱动器、变频器、伺服系统的控制与反馈隔离
  • 电力电子:逆变器、智能电表、太阳能逆变器中主控与功率板隔离
  • 数据采集与保护:高压测量前端与低压处理单元之间的数据隔离
  • 通信接口隔离:SPI、UART、GPIO 等高速数字信号的隔离传输

五、设计与使用建议

  • 在 VCCA 与 VCCB 两侧分别靠近引脚布置 0.1µF 陶瓷旁路电容,并建议并联 1µF 以上较大电容以稳定电源。
  • 对于高数据速率信号,建议在信号线使用适当的终端电阻(源阻或阻抗匹配)以减小反射与环路干扰。
  • 布局时注意隔离栈线上保持足够的爬电与间隙距离,避免穿板耦合带来的干扰。
  • 在高共模瞬变环境下可配合 TVS 或共模滤波器保护端口,进一步提升系统可靠性。
  • 关注器件的方向性(3:1),合理分配控制(主控→被控)与反馈(被控→主控)信号通道。

六、可靠性与质量亮点

  • 高达 5kV RMS 的隔离耐压与 150 kV/µs 的 CMTI 指标,使 NSI8141W1 在强干扰和高压差环境下仍能保持稳定通信。
  • 宽温工作范围和工业级电压兼容性满足苛刻的使用条件,适合长期运行的工业与电力系统。

七、封装与订购信息

  • 封装:SOIC-16-300mil,便于自动贴装与回流焊工艺。
  • 品牌:NOVOSENSE(纳芯微),型号:NSI8141W1。

总结:NSI8141W1 以其高耐压、低延时、高速率与优异的共模抑制能力,为需要可靠隔离的工业与电力电子系统提供了紧凑且易用的解决方案。在设计中合理布线、去耦与防护可充分发挥其性能优势。