
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| FET类型 | 内置FET |
| 通道数 | 1 |
| 工作电压 | 2.7V~23V |
| 安装方式 | 表面安装 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.3mΩ |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 长度 | 2mm |
| 宽度 | 2mm |
| 高度 | 1mm |

TPS259470ARPWR 是德州仪器(TI)推出的一款高集成 eFuse 保护器件,内置 N 沟道 FET,面向 2.7 V 至 23 V 电源轨的点对点保护与电源管理。器件单通道、表面贴装,封装为 VQFN-10-HR (2 mm × 2 mm),体积小巧,适合空间受限的板级保护设计。典型额定电流 5.5 A,静态导通电阻 RDS(on) 约 28.3 mΩ,工作温度范围 -40 ℃ 至 +125 ℃。
在最大工作电流附近,RDS(on) 将决定导通损耗。以 5.5 A 为例,近似损耗 P = I^2·R ≈ 5.5^2 × 0.0283 ≈ 0.86 W。设计时需考虑 PCB 散热:
器件尺寸 2 mm × 2 mm × 1 mm,VQFN-10-HR 封装需注意热焊盘与引脚焊盘的焊接质量。推荐做法:
总结:TPS259470ARPWR 以其宽电压范围、5.5 A 等级与 28.3 mΩ 的低导通电阻,结合小尺寸 VQFN 封装,适合需要紧凑封装与可靠输入保护的工业与消费类电源设计。在实际应用中,请以 TI 官方数据手册为准,并按照推荐 PCB 布局与热管理措施进行设计。