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TLV9051IDCKR 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

TLV9051IDCKRRoHS
商品编码:
BM0259384587复制
品牌:
TI(德州仪器)复制
封装:
SC-70-5复制
包装:
未知复制
重量:
0.085g复制
描述:
运算放大器 15V/us 单路 2pA 5MHz SC-70-5复制
产品参数
产品手册
产品概述
TLV9051IDCKR参数
属性
参数值
放大器数1
最大电源宽度(Vdd-Vss)6V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBW)5MHz
输入失调电压(Vos)330uV
输入失调电压温漂(Vos TC)500nV/℃
压摆率(SR)15V/us
输入偏置电流(Ib)2pA
属性
参数值
输入失调电流(Ios)525pA
输入电压噪声密度(eN)15nV/√Hz@10kHz
共模抑制比(CMRR)96dB
静态电流(Iq)330uA
输出电流50mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源电压1.8V~6V
TLV9051IDCKR手册
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TLV9051IDCKR概述

TLV9051IDCKR 产品概述

一、产品简介

TLV9051IDCKR 是德州仪器(TI)推出的一款单路轨到轨运算放大器,面向对精度、低偏流和低电压供电有较高要求的便携与传感节点应用。该器件在 1.8V 至 6V 单电源下工作,支持输入与输出的轨到轨特性,适合直接与低电压模拟信号接口。

二、主要性能参数

  • 放大器通道:单路
  • 供电电压范围:1.8V ~ 6V(最大电源差 6V)
  • 轨到轨:输入与输出均为轨到轨
  • 增益带宽积(GBP):5 MHz
  • 压摆率(SR):15 V/µs
  • 输入失调电压 Vos:330 µV,温漂 500 nV/°C
  • 输入偏置电流 Ib:2 pA;输入失调电流 Ios:525 pA
  • 噪声密度:15 nV/√Hz @ 10 kHz
  • 共模抑制比 CMRR:96 dB
  • 静态电流 Iq:330 µA
  • 输出驱动能力:可达 50 mA
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SC-70-5(超小型)

三、性能解读与使用建议

  • 精度与漂移:330 µV 的输入失调配合 500 nV/°C 的温漂,适合对直流精度有较高要求的传感前端。长期温度变化下偏置误差受控,适用于增益较低的精密测量电路。
  • 高阻源接口:超低输入偏置电流(2 pA)使其非常适合与高阻抗传感器、霍尔元件或电荷放大器配合使用,能显著减小因偏流带来的误差。
  • 带宽与速率:5 MHz 的 GBP 适用于低至中频的信号调理;在单位增益时带宽接近 5 MHz,但在较高闭环增益下带宽会对应下降。15 V/µs 的压摆率支持快速边沿与中等幅值脉冲信号,需注意在驱动大幅度快速信号时可能受压摆率限制。
  • 输出能力与功耗:50 mA 的输出驱动能力允许在一定程度上直接驱动小负载或做缓冲,但持续大电流输出会提升功耗与封装温升;静态电流 330 µA 在低功耗系统中处于中等水平,应在电池应用中权衡采样/休眠策略。

四、版图与外围建议

  • 电源去耦:建议在 VDD 与 VSS 之间靠近器件引脚放置 0.1 µF 陶瓷旁路电容,必要时并联 1 µF 以改善低频稳定性。
  • 输入保护与滤波:对超高阻抗输入使用大阻值并联阻或隔离电容以避免漂移与噪声耦合;光电/电荷传感器场合考虑反馈电容以稳定增益和带宽。
  • 负载与散热:在输出近 50 mA 工作时注意封装(SC-70-5)散热限制,必要时降低占空比或选用散热更好的封装。

五、典型应用场景

  • 精密传感器前端(温度、压力、应变等)
  • 高阻抗信号缓冲(电化学、光电二极管探测)
  • 便携式与低压数据采集系统
  • 仪表放大与精密比较电路(非比较器使用场合)

六、总结

TLV9051IDCKR 以其轨到轨输入输出、低输入偏置与低失调漂移、适中的带宽与较高压摆率,为空间受限且对精度有要求的模拟前端提供了平衡的选择。SC-70-5 小封装适合体积受限的设计,但在高电流输出或极端散热条件下需注意热管理与布局优化。对于高阻抗传感器接口和低电压便携设备,该器件是值得优先考虑的放大器选项。

最新价格

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