TPIC6C596DR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

TPIC6C596DR

商品编码: BM0259545605复制
品牌 : 
TI(德州仪器)复制
封装 : 
16-SOIC复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
移位寄存器 TPIC6C596DR SOP-16复制
库存 :
499(起订量1,增量1)复制
批次 :
24+复制
数量 :
X
2.46
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
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1+
¥2.46
--
2500+
¥2.36
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

TPIC6C596DR参数

功能串行至串行或并行工作电压4.5V~5.5V
时钟频率(fc)10MHz元件数1
每个元件位数8输出类型开漏
系列TPIC工作温度-40℃~+125℃
传播延迟(tpd)15ns@5V,30pF输出电流100mA

TPIC6C596DR手册

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TPIC6C596DR概述

TPIC6C596DR 产品概述

一、概述

TPIC6C596DR 是德州仪器(TI)推出的一款高电流能力的 8 位串行移位寄存器,属于 TPIC 系列功率逻辑器件。器件支持串行输入并可实现串行-并行或串行-串行的数据转换,输出为开漏(open-drain)结构,适合直接驱动低侧负载。标准封装为 16 引脚 SOIC(16-SOIC / SOP-16),工作电压范围 4.5V 至 5.5V,工作温度范围 -40°C 至 +125°C,适用于工业级和高可靠性场合。

二、主要特性

  • 8 位移位寄存器,支持串行至并行与串行级联(可扩展输出位数)。
  • 输出类型:开漏(open-drain),便于与外部电源或负载连接进行低侧开关。
  • 每通道输出电流能力高达 100 mA(适用于驱动 LED、继电器线圈低侧开关等)。
  • 时钟频率(fc)可达 10 MHz,满足多数高频数据隔离与刷新需求。
  • 传播延迟(tpd):15 ns(在 5V、负载 30 pF 条件下),响应快速。
  • 工业级温度范围:-40°C ~ +125°C。
  • 封装:16-SOIC(TI 标准 DR 封装)。

三、电气与时序参数(要点)

  • 工作电压:4.5V ~ 5.5V(推荐 5V 系统兼容)。
  • 最大时钟频率:典型应用可支持到 10 MHz,但实际上限受上拉、负载电容及布线质量影响,应按系统时序裕度测试验证。
  • 输出下拉能力:单通道可达 100 mA。并注意多个通道同时导通时的封装功耗和结温上升。
  • 传播延迟:15 ns(5V、CL=30 pF),用于时序预算和总线同步设计时需考虑。
  • 输出为开漏,需外接上拉电阻或将负载连接到 VCC,使器件作为低侧开关使用。

四、引脚与封装(概要)

TPIC6C596DR 为 16 引脚 SOIC 封装,常见引脚包含:

  • 串行数据输入/输出(用于级联)
  • 移位时钟(SRCLK)和锁存时钟(RCLK)
  • 输出使能、复位等控制端
  • VCC 与 GND(电源与接地) (注:具体引脚命名与功能请参阅 TI 官方数据手册以获得准确引脚图与连接方式)

五、典型应用场景

  • LED 点阵或高功率 LED 阵列的低侧驱动(需配合限流措施)。
  • 继电器、线圈、步进驱动器等需低侧开关控制的场合(推荐并联续流二极管或 TVS 保护)。
  • 扩展 MCU/FPGA 的输出来驱动工业信号或执行器。
  • 灯光控制、面板指示、高电流开关矩阵等。

六、设计与使用建议

  • 由于输出为开漏结构,必须为每路输出提供适当上拉或将负载连接到电源侧,避免浮空状态。
  • 对于感性负载(比如继电器或电机),在器件输出端并联续流二极管或 TVS 二极管,抑制反向电压尖峰,保护器件。
  • 大电流工作时注意封装功耗与结温:若多通道同时导通,需评估 PCB 散热、熔断熔丝与电源承载能力,建议合理限制平均通流或使用外部功率器件分担。
  • 在电源引脚附近放置 0.1 µF 陶瓷去耦电容,并尽量缩短电源地回路,减小开关时的瞬态电压。
  • 布线时尽量将时钟与数据信号线保持短且避免与大电流回流平行,以降低串扰与时序抖动。
  • 多芯片级联时,注意最大时序延伸和传输线效应,必要时降低时钟频率或增加驱动能力。

七、选型与替代

TPIC6C596DR 以其开漏高电流输出和工业温度等级适用于高功耗低侧驱动场合。若需求不同(例如需源极输出、不同电流等级或更高频率),可参考 TI 及其他厂商的移位寄存器与功率逻辑产品线以寻找替代型号。购买和设计前建议查阅 TI 官方数据手册(datasheet)以获取完整电气特性、详细引脚图和典型应用电路。

总结:TPIC6C596DR 是一款面向高电流低侧驱动的 8 位串行移位寄存器,兼顾工业温度范围与链式扩展能力,适合需要用有限 MCU 引脚驱动多路高电流负载的系统设计。