1N4751APF-M 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

1N4751APF-M

商品编码: BM0259564328复制
品牌 : 
ST(先科)复制
封装 : 
DO-41复制
包装 : 
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描述 : 
稳压二极管 1N4751APF-M 30V 1W DO-41 无铅复制
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产品参数
产品手册
产品概述

1N4751APF-M参数

稳压值(标称值)30V反向电流(Ir)5uA@22.8V
稳压值(范围)28.5V~31.5V耗散功率(Pd)1W
阻抗(Zzt)40Ω阻抗(Zzk)1kΩ

1N4751APF-M手册

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1N4751APF-M概述

1N4751APF-M 30V 1W 稳压二极管 产品概述

一、主要参数

1N4751APF-M 为 ST(先科)出品的无铅 DO‑41 封装稳压二极管,标称稳压值 30V。关键参数如下:

  • 稳压值(标称):30V
  • 稳压值范围:28.5V ~ 31.5V(典型公差约 ±5%)
  • 反向电流 Ir:5 μA @ 22.8V
  • 最大耗散功率 Pd:1W(在规定温度和散热条件下)
  • 直流/交流阻抗:Zzt = 40 Ω,Zzk = 1 kΩ
  • 封装:DO‑41 轴向引线式,适用于通孔安装;无铅(RoHS)

二、电气性能详解

稳压二极管在反向工作区域作为齐纳/雪崩稳压源使用。30V 标称值表示在测试电流下的稳定电压附近工作。Zzt(交流动态阻抗)为 40 Ω,表明在正常工作点对小幅负载变化有一定的电压变化;Zzk(在击穿拐点的阻抗)较高(1 kΩ),提示在低电流到工作电流转变区域电压斜率较陡。反向漏电 Ir 在 22.8V 时为 5 μA,反映低电压下的漏电性能,利于低功耗设计。

三、封装与热特性

DO‑41 轴向封装便于通孔焊接与维修。1W 的耗散能力受限于环境温度与散热条件,通常需在 PCB 上留足铜皮或缩短引线以利散热;在高温或连续大电流条件下应做功率降额。具体温度系数和降额曲线请参照厂商数据手册。

四、典型应用场景

  • 电源轨的稳压与保护:作为 30V 参考或并联稳压单元,用于为后级电路提供粗稳压。
  • 过压钳位:保护敏感器件或输入端免受瞬态过压。
  • 测试与校准:在需要 30V 固定参考的仪器中做基准电压源(需配合稳流源或限流电阻)。
  • 通用电源模块、工业控制等要求中高电压稳压场合。

五、使用注意事项与选型建议

  • 由于为并联稳压器件,需配置合适的限流电阻或上游恒流源以限制功耗;避免超过 1W 额定耗散。
  • 对于低纹波、高精度稳压场合,注意 Zzt 较大可能带来输出电压随电流变化明显,必要时选择低阻抗或更高功率级别器件。
  • 焊接时遵循无铅工艺温度曲线,避免长时间高温暴露影响性能。
  • 在高温或密集布线的设计中,预留充足散热面积或采用散热片以防止功耗过热。
  • 选型时参考完整的数据手册以获取测试条件(如测试电流 Izt、温度系数、最大反向电压等)以保证电路可靠性。

如需更详细的电气特性曲线、典型接线图或温度降额曲线,可提供数据手册以便进一步分析和设计建议。