TPD4E001DRSR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

TPD4E001DRSR

商品编码: BM0259584271复制
品牌 : 
TI(德州仪器)复制
封装 : 
SON-6(3x3)复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
静电和浪涌保护(TVS/ESD) TPD4E001DRSR DFN-6-EP(3x3)复制
库存 :
1000(起订量1,增量1)复制
批次 :
21+复制
数量 :
X
1.11
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.11
--
1000+
¥1.03
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

TPD4E001DRSR参数

极性单向反向截止电压(Vrwm)5.5V
钳位电压17V峰值脉冲电流(Ipp)5.5A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)100W击穿电压11V
反向电流(Ir)1nA通道数四路
工作温度-40℃~+85℃防护等级IEC 61000-4-2
类型ESDCj-结电容1.5pF

TPD4E001DRSR手册

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TPD4E001DRSR概述

TPD4E001DRSR 产品概述

一、产品简介

TPD4E001DRSR 是 TI(德州仪器)推出的一款四路单向静电与浪涌保护器件,采用 DFN-6-EP / SON-6 (3x3 mm) 小型封装。器件专为高速数据线与接口保护设计,在保持极低结电容的同时提供对静电放电(ESD)和浪涌脉冲的可靠钳位保护,适用于对空间与信号完整性要求较高的消费与工业电子产品。

二、主要参数

  • 极性:单向
  • 通道数:4 路
  • 反向截止电压 Vrwm:5.5 V
  • 击穿电压 Vbr:11 V
  • 钳位电压 Vc:17 V(典型)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:5.5 A(8/20µs)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:100 W
  • 反向漏电流 Ir:1 nA
  • 结电容 Cj:1.5 pF(低电容,适合高速信号)
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 防护等级:满足 IEC 61000-4-2 标准
  • 类型:ESD/TVS

三、主要特性与优势

  • 多路集成:四路器件在同一小封装内实现对多条信号线的并行保护,节省 PCB 面积,简化布线。
  • 低结电容(1.5 pF):对高速接口(如 USB、串行总线或差分对)的信号完整性影响极小。
  • 强力钳位与浪涌吸收能力:17 V 钳位电压与 5.5 A(8/20µs)脉冲电流能力,为常见静电与电源瞬态提供有效保护。
  • 极低漏电流(1 nA):适合对待机功耗敏感的便携式设备。
  • 宽工作温度范围与工业级耐受能力,满足多种应用场景的可靠性需求。

四、典型应用

  • 移动终端和便携式设备的 USB/数据接口保护
  • 工业通信端口与传感器接口的抗静电保护
  • 摄像头模块、显示接口及其他高速信号线的防护
  • 需要多路、小尺寸、低电容保护的消费电子与 IoT 设备

五、封装与使用注意

  • 封装:DFN-6-EP (3×3 mm) 带底板,便于热散与机械固定。
  • 推荐用于 Vrwm ≈5.5 V 的电源/信号系统,避免在超过额定反向电压下长期工作。
  • 在高能量冲击路径上留足接地回流面积并采用合适的焊盘设计,以发挥最佳保护效果。

TPD4E001DRSR 以其小体积、低电容与四路集成的设计,适合在空间与信号完整性要求高的场合中,作为高可靠性的静电与瞬态保护解决方案。