SN65HVD20DR 产品概述

一、产品简介

SN65HVD20DR 是德州仪器（TI）推出的一款高性能 RS-485/RS-422 收发器，封装为 8-SOIC（DR）。该器件为半双工单驱单收（1 driver / 1 receiver）拓扑，工作电压 4.5V～5.5V，支持最高约 25 Mbps 的数据速率，最多可挂接 64 个节点，适用于工业级串行总线应用。器件在静态或掉电态下静态电流约 1 μA，工作温度范围 -40℃～+85℃，并具有 ±16 kV 的静电放电保护能力。

二、主要特性

• 通讯标准：兼容 RS-485 / RS-422，半双工通信
• 驱动/接收：1 个驱动器、1 个接收器
• 电源电压：4.5V ～ 5.5V
• 数据速率：最高 25 Mbps（典型）
• 总线容量：最多 64 节点
• 静电保护：对接脚 ±16 kV（HBM 等级）
• 工作温度：-40℃ ～ +85℃
• 低功耗：静态电流约 1 μA（低待机）
• 封装：8-SOIC（TI 封装码 DR）

三、典型应用场景

• 工业自动化现场总线、PLC 与远程 I/O
• 楼宇自动化与安防系统串行链路
• 工业以太网/网关中的串口延伸
• 测试测量设备、数据采集模块
• 任何需长线差分传输、抗干扰能力强的串行通讯场合

四、设计与使用建议

• 差分终端：在总线两端并联 120 Ω 终端电阻以消除回波和反射；短分支线（stub）以减少反射。
• 总线偏置（Fail‑safe）：如果器件未集成偏置电阻，应通过上拉/下拉或专用偏置网络保证空闲总线稳定电平，避免接收器误触发。
• 布线规则：差分对成对控制阻抗布线、长度匹配、远离大电流回路与噪声源。必要时在接口处加共模扼流圈或差模滤波。
• 保护与可靠性：接口靠近连接器处可并联 TVS 二极管、陶瓷旁路电容，并在 VCC 处放置 0.1 μF 去耦电容；考虑浪涌与共模电压时增加隔离或光耦。
• 电源与功耗：模块上电/断电顺序要保证总线稳定；低功耗模式（静态电流 ~1 μA）适合需节能的远程节点。
• 热与封装：SOIC-8 便于 PCB 布局，注意焊盘与散热走线以保证可靠性。

五、封装与选型建议

SN65HVD20DR（8-SOIC，DR）为标准封装型号，适用于批量生产与自动贴装。选型时请参考 TI 官方数据手册，核对电气特性、时序图与 PCB 参考电路，以确保在目标工作条件下满足电平、速率和拓扑要求。

总结：SN65HVD20DR 面向工业级差分串行通信，兼顾高速、低功耗与抗干扰能力，适合要求可靠性高的 RS-485/RS-422 系统设计。