
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 电感值 | 8.2uH |
| 精度 | ±5% |
| 额定电流 | 170mA |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 直流电阻(DCR) | 2Ω |
| 类型 | 磁胶屏蔽电感 |

NLV32T-8R2J-EF 为一款用于低功率电源与滤波的磁胶屏蔽贴片电感。其屏蔽式结构有效抑制外泄磁场,便于在受敏感信号影响的板上布局。8.2 μH 的中高电感值适合低频滤波与能量储存场合;±5% 精度保证器件在常温下一致性良好。DCR 为 2 Ω,结合额定电流 170 mA,器件在小电流应用中具有稳定表现,但由于 DCR 较大,转换效率在高电流大纹波场合会受影响。
(功率损耗举例)在额定电流下,理论功耗约为 P = I^2·R = 0.17^2×2 ≈ 0.058 W,实际应用时需考虑纹波电流与温升。
1210 封装便于自动贴装与回流焊接,适合批量生产。TDK 品牌在材料一致性与出厂测试上有保障,需按实际应用环境(温度、湿度、振动)参考完整数据表执行可靠性评估与寿命预测。
总结:NLV32T-8R2J-EF 适合对体积敏感且工作电流较低的滤波与能量储存场景,优势在于屏蔽性与稳定的中高电感值;在选择时要综合考虑 DCR 对效率与发热的影响,并按实际电流条件做降额设计或选择更低 DCR 的替代品。