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NLV32T-8R2J-EF 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NLV32T-8R2J-EFRoHS
商品编码:
BM0262572092复制
品牌:
TDK复制
封装:
1210复制
包装:
编带复制
重量:
0.15g复制
描述:
功率电感 2Ω 8.2uH ±5% 170mA 1210复制
产品参数
产品手册
产品概述
NLV32T-8R2J-EF参数
属性
参数值
电感值8.2uH
精度±5%
额定电流170mA
属性
参数值
直流电阻(DCR)
类型磁胶屏蔽电感
NLV32T-8R2J-EF手册
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无数据
NLV32T-8R2J-EF概述

NLV32T-8R2J-EF 产品概述

一、主要参数

  • 型号:NLV32T-8R2J-EF(TDK)
  • 封装:1210(贴片)
  • 电感值:8.2 μH ±5%
  • 额定直流电流:170 mA
  • 直流电阻(DCR):2 Ω
  • 类型:磁胶屏蔽电感(屏蔽功率电感)

二、产品特性

NLV32T-8R2J-EF 为一款用于低功率电源与滤波的磁胶屏蔽贴片电感。其屏蔽式结构有效抑制外泄磁场,便于在受敏感信号影响的板上布局。8.2 μH 的中高电感值适合低频滤波与能量储存场合;±5% 精度保证器件在常温下一致性良好。DCR 为 2 Ω,结合额定电流 170 mA,器件在小电流应用中具有稳定表现,但由于 DCR 较大,转换效率在高电流大纹波场合会受影响。

(功率损耗举例)在额定电流下,理论功耗约为 P = I^2·R = 0.17^2×2 ≈ 0.058 W,实际应用时需考虑纹波电流与温升。

三、典型应用

  • 便携式设备的小功率 DC-DC 降压或升压转换器(低电流段)
  • 输入/输出滤波器(EMI 抑制、纹波滤除)
  • 电池供电模块的噪声抑制与电源隔离
  • 模拟前端与传感器供电的局部滤波

四、设计与使用建议

  1. DC 偏置影响:磁性材料在直流偏置下会降低有效电感,实际电路中应留有裕量或参考器件频率特性曲线验证。
  2. 电流与发热:若工作电流接近或超过额定值,需考虑电感饱和与温升导致电感值下降与可靠性降低。建议对纹波电流进行评估并适当降额使用。
  3. 损耗与效率:DCR 较高时在高电流场合会带来明显 I^2R 损耗,不适合高效大电流电源;如需更低损耗,应选用低 DCR 型号。
  4. 布局与接地:为发挥屏蔽效果,电感周围尽量避免大型敏感信号线,地平面与走线应保证良好回流路径。贴片焊盘应按厂家推荐的陆地图设计,避免过多机械应力。

五、可靠性与封装

1210 封装便于自动贴装与回流焊接,适合批量生产。TDK 品牌在材料一致性与出厂测试上有保障,需按实际应用环境(温度、湿度、振动)参考完整数据表执行可靠性评估与寿命预测。

总结:NLV32T-8R2J-EF 适合对体积敏感且工作电流较低的滤波与能量储存场景,优势在于屏蔽性与稳定的中高电感值;在选择时要综合考虑 DCR 对效率与发热的影响,并按实际电流条件做降额设计或选择更低 DCR 的替代品。

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