C2012X5R1V106MT000E 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

C2012X5R1V106MT000E

商品编码: BM0262574957复制
品牌 : 
TDK复制
封装 : 
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包装 : 
编带复制
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描述 : 
贴片电容(MLCC) 35V ±20% 10uF X5R 0805复制
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产品参数
产品手册
产品概述

C2012X5R1V106MT000E参数

容值10uF精度±20%
额定电压35V温度系数X5R

C2012X5R1V106MT000E手册

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C2012X5R1V106MT000E概述

C2012X5R1V106MT000E 产品概述

一、产品简介

TDK 型号 C2012X5R1V106MT000E 为 0805(2012公制)贴片多层陶瓷电容(MLCC),额定电压 35V,容量 10µF,公差 ±20%,介电材料 X5R。此类元件体积小、容值较大,适合在空间受限的 PCB 上作为旁路、去耦和能量储存元件使用,尤其常见于电源模块、DC‑DC 转换器输入/输出以及滤波回路。

二、主要电气与机械特性

  • 容值:10µF(标称)
  • 公差:±20%(M)
  • 额定电压:35V DC
  • 介电型式:X5R(工作温度 -55°C ~ +85°C 范围内容值变化受限)
  • 封装:0805(2012 公制)贴片封装
  • 极低的 ESR/ESL,适合高频去耦与瞬态电流吸收。

三、实际使用注意要点

  • 直流偏置(DC‑bias):X5R 材料在加电压时会出现显著的容量下降,高容量与高工作电压组合时尤为明显。设计时应按实际工作电压下的有效电容进行评估,必要时选用更大标称容量或更高压/更稳定的介质。
  • 温度与老化:X5R 在温度极限内容值波动受控,但属于 II 型介电材料,会有随时间的老化效应(容量随时间缓慢下降),需在规格书中查看具体老化曲线。
  • 焊接与可靠性:推荐按照 JEDEC/J‑STD 焊接曲线回流,避免超温或多次重流。贴片电容对机械应力敏感,焊盘设计与 PCB 弯曲控制很重要,防止裂纹导致失效。

四、典型应用场景

  • 开关电源输入/输出旁路与滤波
  • PCB 电源轨的局部储能与瞬态响应提升
  • 各类模拟/数字电路的去耦与去噪
  • 空间受限的便携设备、通信设备和工业控制模块

五、封装与选型建议

  • 尺寸与焊盘:按照 IPC/TDK 推荐的 0805 焊盘布局设计,保证焊接可靠性并降低应力集中。具体焊盘尺寸与回流参数请参考 TDK 官方数据手册。
  • 选型要点:对稳态电容要求高或需在高偏压下保持容量时,优先评估 DC‑bias 曲线或考虑更稳定的介电(如 X7R 或 C0G/NP0,尽管后者单片容值受限)。
  • 储存与搬运:避免受潮与机械冲击,若长期存放建议按厂商建议的包装与环境条件保存。

六、型号说明(常见解读)

  • C2012:0805 尺寸代号(2012 公制)
  • X5R:介电材料及温度系数类型
  • 1V:额定电压代号(厂商编码,对应 35V)
  • 106:容量代码 10 × 10^6 pF = 10µF
  • M:公差 ±20%;后缀通常为包装与卷带信息

总结:C2012X5R1V106MT000E 以其尺寸与容量的平衡,适合对体积、成本敏感且需较大旁路电容的通用电源与去耦场合。设计时需重点关注 DC‑bias 与焊接工艺对有效电容量与可靠性的影响,参考 TDK 数据手册可获得完整电气特性曲线与 PCB 设计建议。