SS38C 产品概述

一、产品简介

SS38C 为晶导微电子出品的独立式肖特基整流二极管，封装为 SMC，面向中大功率整流和保护场合。器件提供较低的正向压降与较高的反向耐压，适合开关电源、整流桥、续流保护与反向保护等应用。

二、主要参数

• 二极管类型：肖特基（独立式、非封装阵列）
• 正向压降（Vf）：850 mV @ If = 3 A
• 直流反向耐压（Vr）：80 V
• 连续整流电流：3 A
• 反向电流（Ir）：300 μA @ 80 V
• 封装：SMC（便于散热的大引脚表面封装）
• 品牌：晶导微电子（SS38C）

三、主要特性与优势

• 低正向压降：在高电流（3 A）工作点仍维持约0.85 V 的压降，有助于降低导通损耗，提高整流效率。
• 合理的反向耐压：80 V 的额定电压覆盖多数中低压电源和工业应用。
• 封装热性能好：SMC 封装比小型封装有更好的散热能力，适合较高电流密度的场合。
• 反向漏电控制合理：在满压条件下反向电流维持在数百微安级，适用于多种整流与保护用途。

四、典型应用场景

• 开关电源（整流/续流二极管）
• 逆变器与电机驱动的续流路径
• 桥式整流与功率整流模块
• 电池充放电保护与反接保护电路
• 光伏、LED 驱动等需高效率整流的场合

五、封装与安装建议

• SMC 封装利于热流向 PCB 铜箔扩散，建议在器件底部与周围设计较大铜箔及热过孔以增强散热。
• 注意器件负极（阴极）通常有标识条带，焊接时保持极性正确。
• 推荐按照晶导微电子的标准回流焊工艺参数进行焊接，避免过高焊接温度和过长热暴露时间以保护器件结温。

六、散热与可靠性注意事项

• 器件损耗主要来自正向压降乘以电流，长期高电流工作需进行热设计与结温监控。
• 在高环境温度或散热受限条件下，应参照厂方结温-电流降额曲线进行选型或并联使用以分担热负荷。
• 推荐在设计阶段进行浪涌和脉冲电流验证，以确认器件在实际工作脉冲条件下的可靠性。

七、测试与选型建议

• 在产品验证阶段，应做直流与脉冲 IV 曲线、温度上升测试、反向漏电与耐压测试以及浪涌承受能力测试。
• 若对漏电、正向压降或浪涌能力有更高要求，可与晶导微电子工程支持确认更详细的参数或推荐替代料号。

八、订购信息

• 型号：SS38C
• 品牌：晶导微电子
• 封装：SMC
• 建议在批量采购前索取完整数据手册，以确认热参数、包装信息与应用注意事项。

结语：SS38C 以其较低的正向压降、80 V 的耐压与 SMC 封装的散热优势，适合中等功率整流与保护用途。具体电路设计请结合具体工作环境的热设计与厂家数据手册进行最终确认。