SN74AHC273DWR 产品概述

一、产品简介

SN74AHC273DWR（TI/德州仪器）为一片式 D 型触发器器件，含 8 位并行 D 型触发器，采用 20 引脚 SOIC（300 mil）封装。器件为上升沿触发，具备异步复位功能（复位为清除型），适用于高速寄存器、数据暂存和总线锁存等数字电路应用。工作电压范围为 2.0 V ~ 5.5 V，工作温度范围 -40 ℃ ~ +125 ℃。

二、主要电气与时序参数

• 工作电压（VCC）：2.0 V ～ 5.5 V
• 时钟触发：上升沿触发
• 位数：8 位（每个元件 8 位）
• 最大建议工作频率（fc）：约 100 MHz（实际受负载与布线影响）
• 传播延迟 tpd：10.5 ns @ VCC = 5 V，CL = 50 pF
• 建立时间（tsetup）：4.5 ns
• 保持时间（thold）：1 ns
• 输入电容：约 10 pF（每输入）
• 静态电流 Iq：典型 40 µA（静态电源电流）
• 输出能力：IOH = 8 mA（拉电流），IOL = 8 mA（灌电流）

三、功能特点

• 八位并行 D 型触发器，单时钟边沿捕获八路数据。
• 异步复位（Clear）用于快速将输出复位到定义状态（清零）。
• AHC 系列工艺，高速 CMOS 性能、低静态功耗，适合 2 V～5.5 V 系统。
• 小封装（SOIC-20）便于 PCB 布局与自动化贴装。

四、典型应用场景

• 数据寄存与同步缓冲：总线接口、FIFO 前端缓冲、同步跨域信号锁存。
• 并行到串行/并行数据暂存与移位接口（与其他逻辑组合使用）。
• 状态机寄存器、微控制器外围扩展寄存单元。

五、设计与使用建议

• 电源退耦：在 VCC 与 GND 之间靠近器件放置 0.1 µF 陶瓷电容以抑制瞬态噪声。
• 输入端处理：所有未用输入应接至确定的电平（GND 或 VCC），以避免浮空导致功耗或误触发。
• 输出负载与扇出：每个输出 IOH/IOL ≈ 8 mA，驱动能力适中；需驱动较大负载或多路输入时，评估总冲击电流与功耗并考虑缓冲器。
• 布线与终端：高速信号线保持短且阻抗连续，必要时在长线末端使用匹配或缓冲措施以减少反射与毛刺。
• 时序裕量：设计时应保证建立与保持时间裕量，考虑器件传播延迟与系统时钟抖动，实际最高工作频率受 PCB 负载、温度与供电条件影响，100 MHz 为典型评估值而非绝对保证值。
• 热与功耗：尽管静态电流低（约 40 µA），高频切换与大负载输出会增加功耗，应检查整体热预算。

六、封装与选型注意

• 封装：20-SOIC（300 mil），TI 商标与完整料号 SN74AHC273DWR。
• 环境与可靠性：工作温度 -40 ℃ ～ +125 ℃，适合工业级环境。
• 选型时注意电压兼容性（若系统为 1.8 V 或更低电压，需改用对应族系列），以及是否需要三态输出或使能功能（本器件以复位和触发为主功能）。

总结：SN74AHC273DWR 为一款性能均衡的八位上升沿 D 触发器，适合需要并行数据锁存和高速同步的系统。设计时关注电源退耦、输出驱动能力与时序裕量，可确保稳定可靠运行。