
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 放大器数 | 2 |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 36V |
| 增益带宽积(GBW) | 1.2MHz |
| 输入失调电压(Vos) | 2mV |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 3.5uV/℃ |
| 压摆率(SR) | 500V/ms |
| 输入偏置电流(Ib) | 30nA |
| 输入失调电流(Ios) | 4nA |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | 40nV/√Hz@1kHz |
| 共模抑制比(CMRR) | 100dB |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | 10pA/℃ |
| 静态电流(Iq) | 300uA |
| 输出电流 | 20mA |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 单电源电压 | 3V~36V |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -18V~-2.5V;2.5V~18V |

LM358BAIDDFR是德州仪器(TI)推出的高性能双路运算放大器,属于LM358系列的优化升级型号,针对中等频率信号放大、低功耗场景及工业级温度环境设计。采用TSOT23-8小封装,兼顾性能与集成度,广泛适配消费电子、工业控制等多领域应用,是替代普通LM358的高性价比选择。
该运放的参数设计平衡了直流精度、交流性能、功耗与环境适应性,关键特性可支撑多种复杂场景需求:
支持单电源(3V~36V) 和双电源(±2.5V~±18V) 两种供电模式,电源电压差(Vdd-Vss)最大可达36V,覆盖了从电池供电(如3.7V锂电池)到工业级高压(如24V系统)的多种场景,无需额外电源转换电路即可适配不同供电环境,简化系统设计。
采用TSOT23-8封装(8引脚超薄小外形晶体管封装),尺寸紧凑(约3mm×3mm),适合高密度PCB设计(如小型化模块、便携式设备主板);支持卷带编带(reel tape)包装,便于自动化贴装生产,提升量产效率。
LM358BAIDDFR针对普通LM358的短板进行了针对性优化,核心差异如下:
特性 LM358BAIDDFR 普通LM358 压摆率(SR) 500V/ms 1V/ms 静态电流(Iq) 300uA(双路) 1mA(双路) 噪声密度 40nV/√Hz ~70nV/√Hz 工作温度 -40~+85℃ 0~70℃ 电源范围 3V~36V(单) 3V~32V(单)可见,该型号在高速响应、低功耗、宽温范围上具有明显优势,更适合高性能场景。
总结:LM358BAIDDFR是TI针对高性能双运放需求推出的优化型号,兼顾宽电源、高速、低功耗与宽温特性,小封装设计适配高密度应用,是工业控制、便携式设备等场景的理想选择。