

| 极性 | 单向 | 反向截止电压(Vrwm) | 24V |
| 钳位电压 | 44V | 峰值脉冲电流(Ipp) | 6A@8/20us |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 300W@8/20us | 击穿电压 | 30V |
| 反向电流(Ir) | 500nA | 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 |
| 类型 | ESD | Cj-结电容 | 30pF |

PESD24VS2UT-N是伯恩半导体(BORN)推出的单向ESD防护器件,核心作用是为电子设备的信号线路、电源线路提供静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)及浪涌干扰的一体化防护,避免后端敏感元器件(如MCU、传感器、通信芯片等)因瞬态高压损坏。该器件适配消费电子、物联网、通信及工业控制等领域的小型化设计需求,是低成本、高可靠性的瞬态干扰防护解决方案。
该器件的参数围绕“防护有效性”与“信号兼容性”平衡设计,核心指标解析如下:
PESD24VS2UT-N凭借平衡的防护性能、小型化封装及高性价比,成为各类小型电子设备瞬态干扰防护的常用选择。