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MMST3904-TP 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMST3904-TPRoHS
商品编码:
BM0264677976复制
品牌:
MCC(美微科)复制
封装:
SOT-323复制
包装:
编带复制
重量:
0.3g复制
描述:
三极管(BJT) 200mW 40V 200mA NPN SOT-323-3复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
MMST3904-TP参数
属性
参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)100
特征频率(fT)300MHz
属性
参数值
集电极截止电流(Icbo)50nA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN
MMST3904-TP手册
MMST3904-TP概述

MMST3904-TP NPN型三极管产品概述

一、产品基本定位与核心属性

MMST3904-TP是美微科(MCC)推出的小信号NPN双极型晶体管(BJT),针对低功耗、小体积的电子电路设计需求开发,核心定位于信号放大与小功率开关控制场景。其采用超小型SOT-323-3封装,适配高密度PCB布局,是便携电子、消费电子及工业控制领域的基础通用器件。

二、关键电气参数详解

该器件的电气参数覆盖直流与交流特性,满足多数基础电路的性能需求:

  1. 直流特性

    • 最大集电极电流(Ic):200mA,可驱动小功率负载(如小型继电器线圈、LED指示灯);
    • 集射极击穿电压(Vceo):40V,确保电源电压≤40V的电路中无反向击穿风险;
    • 最大耗散功率(Pd):200mW,小功耗设计适配电池供电设备(如智能穿戴);
    • 直流电流增益(hFE):100@Vce=1V、Ic=10mA,此条件下增益稳定,适合中等强度信号放大;
    • 集射极饱和电压(VCE(sat)):300mV,饱和压降低,开关应用中损耗小、响应快;
    • 集电极截止电流(Icbo):50nA,截止状态漏电流极小,显著降低静态功耗;
    • 射基极击穿电压(Vebo):6V,避免基极-发射极反向过压损坏,增强电路抗干扰性。
  2. 交流特性

    • 特征频率(fT):300MHz,高频性能优异,可满足中频信号放大(如音频中频、通信辅助电路)需求。

三、封装与物理特性

采用SOT-323-3封装(又称SC-70),尺寸仅为1.6mm×1.0mm×0.8mm,引脚间距0.95mm,是当前小信号晶体管的主流超小型封装之一。该封装的优势在于:

  • 节省PCB空间:适配智能手机、智能手表等便携设备的高密度内部电路;
  • 焊接兼容性:支持回流焊、波峰焊等标准SMT工艺,批量生产效率高;
  • 散热性能:虽体积小,但200mW的功耗可通过PCB铜箔有效散热,满足长期工作需求。

四、适用场景与性能优势

(1)核心应用场景

  1. 便携电子设备:智能手机的耳机接口信号放大、智能手表的传感器信号处理、蓝牙耳机的音频开关控制;
  2. 消费电子:电视遥控器的按键扫描开关、电子钟的时间信号放大、小型玩具的电机驱动(小功率);
  3. 工业控制:温度传感器的微弱信号放大、PLC的小功率继电器驱动、工业仪器的信号调理电路;
  4. 通信辅助:射频前端的偏置电路、中频信号放大模块(如FM收音机中频放大)。

(2)性能优势

  • 小体积高密度:超小型封装适配小型化产品趋势,无需额外占用大量PCB面积;
  • 低功耗长续航:200mW的耗散功率与50nA的截止电流,降低电池设备的静态功耗;
  • 开关响应快:300mV的饱和压降使开关损耗小,适合高频次小信号开关(如按键扫描);
  • 宽温适应性:工作结温范围-55℃~150℃,覆盖工业级温度需求,可在极端环境下稳定工作;
  • 参数一致性好:MCC的成熟生产工艺确保批次间参数波动小,适合批量生产应用。

五、可靠性与选型注意事项

  1. 可靠性验证:该器件通过常规电子元器件可靠性测试(如温度循环、湿度测试),满足工业级应用的基本可靠性要求;
  2. 选型注意
    • 负载电流需≤200mA,避免过流损坏;
    • 电源电压需≤40V,若电路电压更高需增加限流或稳压电路;
    • 结温需控制在150℃以内,避免长时间过功率工作;
    • 基极-发射极反向电压需≤6V,防止反向击穿。

综上,MMST3904-TP凭借小体积、低功耗、宽温适配等优势,成为便携电子、消费电子及工业控制领域的基础通用晶体管,可满足多数小信号放大与开关控制的设计需求。

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