
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
属性 | 参数值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 600 毫欧 @ 1.7A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 80µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9nC @ 10V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 363pF @ 400V |
| 功率耗散(最大值) | 21W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220 整包 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |

IPA60R600P7XKSA1是英飞凌(Infineon)推出的600V N沟道超级结MOSFET,属于CoolMOS™ P7系列,为上一代P6系列的升级产品。该器件核心定位是在功率转换应用中平衡高效率与设计易用性,针对中等功率场景优化,适合对能效、成本和设计复杂度有综合要求的电源类产品。
该器件关键参数覆盖功率、开关特性、可靠性等维度,具体如下:
效率与损耗平衡
CoolMOS™ P7平台的低Rₙₛ(on)xA(导通电阻×面积) 与低Q₉是核心优势:导通损耗因低Rₙₛ(on)降低,开关损耗因小Q₉减少,整体效率显著高于传统MOSFET,适合对能效有要求的应用(如节能电源)。
设计易用性优化
工业级可靠性
该器件因参数匹配,广泛应用于以下中等功率场景:
采用TO-220-3FP通孔封装,引脚为3脚(漏极D、源极S、栅极G),安装方式为插针式,适合手工焊接或波峰焊;封装尺寸与行业标准TO-220一致,可直接替换同封装的传统MOSFET,降低升级成本。
总结:IPA60R600P7XKSA1是一款兼顾高效率、易设计与可靠性的600V超级结MOSFET,适合中等功率电源类产品的核心开关器件,是英飞凌CoolMOS P7系列的典型代表。