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24FC1026T-I/SN 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

24FC1026T-I/SNRoHS
商品编码:
BM0264888617复制
品牌:
MICROCHIP(美国微芯)复制
封装:
SOIC-8复制
包装:
编带复制
重量:
0.224g复制
描述:
EEPROM-存储器-IC-1Mb-(128K-x-8)-I²C-1MHz-400ns-8-SOIC复制
产品参数
产品手册
产品概述
24FC1026T-I/SN参数
属性
参数值
接口类型I2C
存储容量1Mbit
时钟频率(fc)1MHz
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)200年
属性
参数值
写周期寿命100万次
功能特性硬件写保护功能;噪声抑制功能
工作电压1.8V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃
24FC1026T-I/SN手册
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无数据
24FC1026T-I/SN概述

24FC1026T-I/SN EEPROM产品概述

一、产品基本信息

24FC1026T-I/SN是美国微芯(Microchip)推出的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),属于1Mb(128K×8)容量的I²C接口器件。该产品采用8-SOIC(小型表面贴装封装),体积紧凑(引脚间距1.27mm),适合高密度集成场景,是电子系统中存储非易失性配置、校准数据的核心器件之一。

二、核心性能参数

该器件的关键性能覆盖存储、接口、电气三大维度,具体如下:

  • 存储容量:1Mbit(128K字节),采用128K×8组织结构,支持字节级读写,可灵活存储小块参数(如传感器校准值、设备ID);
  • 接口特性:兼容I²C串行总线,支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)及高速模式(1MHz),可与主流MCU(如PIC、STM32)直接对接,无需额外接口转换;
  • 电气范围:工作电压为1.8V~5.5V,覆盖低功耗IoT设备(1.8V)、常规5V系统及3.3V嵌入式平台,兼容性极强;典型访问时间仅400ns,数据读取响应迅速;
  • 写操作效率:单字节写周期(Tw)为5ms,支持页写模式(最大页大小16字节),批量写入时可减少写周期次数,提升系统效率。

三、可靠性与耐用性

24FC1026T-I/SN针对长期稳定运行设计,可靠性指标突出:

  • 写周期寿命:支持100万次写操作,适合频繁更新参数的场景(如工业传感器校准、汽车中控设置);
  • 数据保留:常温下可保持数据不丢失达200年,即使在-40℃~+85℃的极端温度下,仍能稳定存储10年以上;
  • 环境适应性:工作温度范围为**-40℃~+85℃**,符合工业级标准,可适应户外设备、工厂车间等恶劣环境,无需额外温度补偿。

四、典型应用场景

凭借宽电压、高可靠性和I²C接口的易用性,该产品广泛应用于:

  1. 工业控制:存储PLC、变频器的校准参数、运行日志,或现场传感器节点的配置数据;
  2. 汽车电子:辅助系统(倒车雷达、中控面板)的非易失性设置,或车身控制器的状态记录;
  3. 消费电子:智能家电(空调、洗衣机)的用户自定义参数、固件版本信息;
  4. 医疗设备:便携式监护仪的患者数据缓存、设备校准值(满足低功耗+可靠性要求);
  5. 通信设备:路由器、交换机的配置文件、MAC地址等关键信息存储。

五、封装与引脚说明

8-SOIC封装的引脚功能符合I²C EEPROM通用定义:

  • VCC:电源输入(1.8V~5.5V);
  • GND:接地;
  • SDA:串行数据(双向,需外接上拉电阻);
  • SCL:串行时钟(由主机MCU控制);
  • WP:写保护(高电平有效时禁止写入,低电平允许);
  • A0/A1/A2:地址引脚(通过硬件配置可实现8个器件级联,共享同一I²C总线,扩展存储容量)。

六、产品优势总结

24FC1026T-I/SN的核心竞争力体现在:

  • 宽电压兼容:覆盖1.8V~5.5V,减少硬件设计的电源适配成本;
  • 高可靠性:100万次写寿命+200年数据保留,长期运行无数据丢失风险;
  • 快速响应:400ns访问时间+5ms写周期,提升系统整体响应速度;
  • 易用集成:I²C接口无需复杂布线,多器件级联支持大容量存储扩展;
  • 工业级宽温:-40℃~+85℃适应恶劣环境,满足工业、汽车等领域的严苛要求。

该产品继承了Microchip在EEPROM领域的成熟技术,是各类电子系统中非易失性存储的高性价比选择。

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