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DG412DVZ-T 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DG412DVZ-TRoHS
商品编码:
BM0264889570复制
品牌:
RENESAS(瑞萨)复制
封装:
16-TSSOP复制
包装:
编带复制
重量:
0.181g复制
描述:
IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
DG412DVZ-T参数
属性
参数值
开关电路1:1
工作电压5V~44V;-20V~-5V;5V~20V
导通时间(ton)175ns
导通电阻(Ron)35Ω
属性
参数值
关闭时间(toff)145ns
工作温度-40℃~+85℃
导通电容(Con)35pF
DG412DVZ-T手册
DG412DVZ-T概述

DG412DVZ-T 四单刀单掷(SPST)模拟开关产品概述

一、产品核心定位

DG412DVZ-T是瑞萨电子推出的四通道单刀单掷(SPST)模拟开关,采用16引脚薄型小外形封装(TSSOP),专为多路信号切换、路由或复用场景设计。其核心优势在于宽电压适配、快速开关速度及工业级可靠性,可覆盖消费电子、工业控制等多领域的信号路径管理需求。

二、关键电气性能参数

1、电压适配范围

该器件支持灵活的电源架构,涵盖:

  • 单电源模式:5V44V,可兼容锂电池(3.7V4.2V)、工业电源等多种供电;
  • 双电源模式:正电源5V20V,负电源-20V-5V,适配需要双极性信号的系统(如模拟传感器、音频电路)。

宽电压范围无需额外电平转换电路,简化系统设计。

2、开关动态性能

  • 导通时间(tₒₙ):175ns,满足中等速率信号(如音频、低速数据、传感器信号)的实时切换需求;
  • 关闭时间(tₒբբ):145ns,开关延迟小,信号通路切换响应快,避免信号串扰;
  • 导通电容(Cₒₙ):35pF,低电容特性减少高频信号的损耗与失真,适合10MHz以下信号传输。

3、导通电阻与信号完整性

导通电阻(Rₒₙ)为35Ω,在模拟信号路径中可有效降低信号衰减,保证信号幅度与波形完整性;低Rₒₙ同时间接减少导通损耗,提升系统能效(未明确给出功耗参数,但低电阻设计可优化功耗表现)。

三、封装与工作环境

1、封装形式

采用16-TSSOP(薄型小外形封装),尺寸紧凑(典型封装尺寸约4.4mm×5.0mm),适合高密度PCB布局,可节省电路板空间,便于集成到便携式设备(如手持测试仪器)或小型化工业模块中。

2、工作温度范围

支持**-40℃~+85℃**的工业级温度区间,可适应户外、高温车间、低温存储等复杂环境,可靠性符合工业级应用标准。

四、典型应用领域

结合性能特点,DG412DVZ-T广泛应用于:

  1. 便携式电子设备:手持示波器、便携式医疗监护仪,宽电压适配电池供电,小封装便于手持设计;
  2. 工业控制系统:PLC模块、传感器信号采集系统,宽温范围适应工业现场,快速开关实现多路传感器信号分时采集;
  3. 通信终端:小型无线基站、物联网网关,低导通电容减少高频信号损耗,提升传输质量;
  4. 测试测量仪器:信号发生器多路输出切换、数据采集卡输入复用,稳定开关性能保证测试精度。

五、产品优势总结

  1. 宽电压兼容性:单/双电源模式覆盖5V44V(正)、-20V-5V(负),适配多种供电系统;
  2. 高速切换能力:175ns导通+145ns关闭时间,满足中等速率信号实时切换;
  3. 低损耗信号传输:35Ω导通电阻+35pF导通电容,减少信号衰减与失真;
  4. 工业级可靠性:-40℃~+85℃工作温度,适应 harsh 环境;
  5. 紧凑集成设计:16-TSSOP小封装,适合高密度PCB布局。

DG412DVZ-T凭借上述特性,成为信号路径管理的实用解决方案,可有效简化系统设计、提升信号完整性与可靠性。

最新价格

梯度
单价(含税)
1+
¥14.8
2500+
¥14.44
37500+

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