SI7117DN-T1-E3
SI7117DN-T1-E3参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.3Ω@6V,0.5A |
| 功率(Pd) | 3.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.7nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 510pF@25V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 16pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI7117DN-T1-E3手册
SI7117DN-T1-E3概述
产品概述：SI7117DN-T1-E3
SI7117DN-T1-E3是一款由VISHAY（威世）公司推出的高性能P沟道MOSFET，旨在满足应用于高电压和中等电流环境下的需求。该元器件的设计重点在于其卓越的导通性能与低功耗特点，使其适用于多种电子产品和电力管理应用。
主要特性与规范
电压与电流规格： SI7117DN-T1-E3可承受高达150V的漏源电压（Vdss），这使得其适合在高电压环境下工作。同时，该MOSFET在25°C的连续漏极电流（Id）高达2.17A，能有效应对家电、通讯设备及工业控制系统等领域对于中等电流的需求。
导通电阻： 在10V的栅极驱动电压下，SI7117DN-T1-E3的最大导通电阻（Rds On）为1.2欧姆（@ 500mA），这意味着在工作状态下，该元器件能够实现低功耗和高效率的电流传输。这一特性使得其在电压转换和电源设计中具有重要应用价值。
栅极阈值电压与驱动电压： SI7117DN-T1-E3具有较低的阈值电压（Vgs(th)），其最大值为4.5V (@ 250µA)，适合与不同的控制信号兼容。此外，支持的驱动电压范围为6V到10V，便于与现有的电路系统相结合。
栅极电荷与输入电容： 在10V的驱动下，该MOSFET的最大栅极电荷（Qg）为12nC (@ 10V)，这一特性降低了开关损耗，使得其在快速开关操作中表现出色。同时，最大输入电容（Ciss）为510pF (@ 25V)，确保快速响应与降低信号延迟。
功率耗散与温度范畴： SI7117DN-T1-E3的功率耗散在环境温度（Ta）下为最大3.2W，而在结温（Tc）为最大12.5W，这使得其在散热管理中表现良好。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，能够适应严酷的工作环境，适合汽车、航空航天及工业设备等高要求领域。
封装与安装： SI7117DN-T1-E3采用PowerPAK® 1212-8封装，属于表面贴装型（SMD）设备，适合现代电路板的高密度组装需求。这一封装方式有效减少了空间占用，同时方便自动化生产和组装。
应用场景
由于其优异的性能参数，SI7117DN-T1-E3广泛应用于多种电子设备中，例如：
- 电源管理：高效地控制开关电源、电源转换器及DC-DC调节电路。
- 电机驱动：在电动工具和电动汽车电源管理系统中，实现对电机的精确控制。
- 通信设备：在基站、路由器及相关配件中提高信号处理能力。
- 汽车电子：适用于汽车电源系统，提供高可靠性的电流切换。
总结
SI7117DN-T1-E3 P沟道MOSFET凭借其高电压、低导通电阻及宽广的工作温度范围，为设计工程师提供了一个高效、可靠的解决方案。无论是在电源管理、汽车电子，还是其他复杂的控制电路中，这款MOSFET都能展现出卓越的性能，成为现代电子产品中不可或缺的重要元件。选择SI7117DN-T1-E3，您将体会到VISHAY（威世）在创新和高性能电子元件领域的卓越品牌价值。