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BAS70W-04-7-F

- 商品编码: BM0000745394复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-323-3复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.03g复制
- 描述: 肖特基二极管 1对串联式 1V@15mA 70V 70mA复制
BAS70W-04-7-F参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 二极管配置 | 1对串联式 |
| 正向压降(Vf) | 1V@15mA |
| 直流反向耐压(Vr) | 70V |
| 整流电流 | 70mA |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA@50V |
| 工作结温范围 | -55℃~+125℃ |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 100mA |
BAS70W-04-7-F手册
BAS70W-04-7-F概述
BAS70W-04-7-F 产品概述
产品简介
BAS70W-04-7-F 是一款高性能的肖特基二极管,采用表面贴装型(SMD)封装,专为低电压和高速开关应用设计。它的设计满足了多种电子设备的需求,具有优异的整流性能以及高效的反向恢复特性,适合用于高频电路、功率管理和信号整形应用。
主要参数
- 二极管配置:该产品由一对肖特基二极管串联而成,其配置确保了在应用中具有更高的电压承受能力和电流负载能力。
- 电流 - 平均整流 (Io):每个二极管的平均整流电流为 70mA(直流),适合低功耗设备的设计需求。
- 电压 - DC 反向 (Vr):最大反向电压为 70V,能够承受高于此电压的瞬态情况,适用于多种工作环境。
- 正向电压 (Vf):在 15mA 的电流下,其正向电压降为 1V,说明在正常工作条件下,其能量损耗较低,有利于提高整体电路效率。
- 反向泄漏电流:在 50V 的反向电压下,反向泄漏电流仅为 100nA,这一特性降低了功耗,有利于提升电源效率。
- 反向恢复时间 (trr):具有 5ns 的快速反向恢复时间,非常适合高频应用,保障快速切换和高效率。
- 工作温度范围:该设备能够在高达 150°C 的结温下运行,适应各种严苛的环境条件。
封装和安装
BAS70W-04-7-F 采用 SOT-323 封装,其紧凑的尺寸使其非常适合空间有限的应用。表面贴装技术不仅可以简化生产工艺,还能提高组装效率,增加电路板的整体性能。
应用领域
BAS70W-04-7-F 的广泛应用领域包括但不限于:
- 开关电源:在电源转换过程中,肖特基二极管可用于提高转换效率,降低开关损耗。
- 信号整形电路:由于其快速反向恢复特性,适合用于信号整形,以最小化失真。
- 整流器:在各种整流应用中提供高效的电流整流能力,以满足低电流应用的需求。
- 电压钳位和保护电路:可用于电压过高情况下的保护,防止后续电路受到损害。
竞争优势
BAS70W-04-7-F 的优势在于其小型轻便设计、高速性能及优秀的散热能力。与其他竞争产品相比,该产品提供了更低的正向电压降和更低的反向泄漏电流,从而在多个场合中实现了更高的能效,可助力设计师在现代电子设备中实现更高的性能与可靠性。
结论
综上所述,BAS70W-04-7-F 是一款理想的肖特基二极管,适合各类高速低功耗应用,通过其优异的电性能及高工作温度范围,能够满足严苛环境下的电子设计需求。无论是在新产品开发还是在现有产品升级中,选择 BAS70W-04-7-F 都将是一个明智的方案,为您的电子产品提供可靠的性能与高效的能量管理。
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