存储容量 | 2Gbit | 工作电压 | 2.7V~3.6V |
写周期时间(tWC) | 20ns | 页写入时间(Tprog) | 200us |
块擦除时间(tBE) | 700us | 数据保留 - TDR(年) | 10年 |
工作温度 | -40℃~+85℃ |
一、产品基本信息
MT29F2G08ABAEAWP:E是一款由镁光(Micron)公司生产的高性能SLC NAND闪存。其设计旨在为各种嵌入式应用提供稳定和可靠的非易失存储解决方案。这款闪存器件采用并行接口方式,具有2Gb的存储容量,配置为256M x 8位。这对于需要高速度和高可靠性的存储应用尤其重要。
二、技术规格
三、封装与安装
MT29F2G08ABAEAWP:E采用48-TSOP I(薄型小型封装)形式,封装尺寸为48引脚,宽度约为18.40mm,长度为0.724英寸。这种紧凑的设计非常适合于空间受限的应用场合,如移动通信设备、消费电子、工业控制器等。
四、应用场景
得益于其高可靠性和性能优势,MT29F2G08ABAEAWP:E闪存广泛应用于多种行业,包括但不限于:
五、优势与特点
六、总结
MT29F2G08ABAEAWP:E是镁光推出的一款性能卓越的SLC NAND闪存,具备优异的耐久性与速度,对于需要高速、可靠、非易失性存储的应用场景提供了完美的解决方案。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,这款闪存都能满足多样的需求,帮助设计师实现更高效、更稳定的系统设计。结合其技术先进性与市场需要,MT29F2G08ABAEAWP:E无疑是现代电子系统中不可或缺的核心组件之一。