2SK208-Y(TE85L,F) 产品实物图片
2SK208-Y(TE85L,F) 产品实物图片
已下架
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

2SK208-Y(TE85L,F)

商品编码: BM0001094107
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
SC-59
包装 : 
托盘
重量 : 
0.033g
描述 : 
结型场效应管(JFET) 100mW 400mV@100nA 50V N沟道 SC-59
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.758324
--
产品参数
产品手册
产品概述

2SK208-Y(TE85L,F)参数

FET类型N沟道栅源截止电压(VGS(off)@ID)400mV@100nA
栅源击穿电压(V(BR)GSS)50V功率(Pd)100mW
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)1.2mA@10V输入电容(Ciss@Vds)8.2pF@10V

2SK208-Y(TE85L,F)手册

2SK208-Y(TE85L,F)概述

2SK208-Y(TE85L,F) 产品概述

产品简介

2SK208-Y(TE85L,F) 是一款高性能的 N 型结型场效应管 (JFET),由知名半导体制造商 TOSHIBA (东芝)生产。该器件专为低功耗和高效率应用而设计,具有额定功率 100mW,击穿电压 50V,最大漏极电流(Id)为 6.5mA,并能够在高达 125°C 的工作温度下稳定运行。

关键参数

  • FET类型: N 通道
  • 击穿电压 (V(BR)GSS): 50V,保证了其在各种应用环境下的稳定性。
  • 漏极电流 (Id): 最大值为 6.5mA,适合低功耗电路应用。
  • 截止电压 (VGS off): 400mV @ 100nA,意味着在极低的门源电压下也能确保低泄漏电流表现。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 8.2pF @ 10V,适合高速开关应用。
  • 封装/外壳类型: SC-59(或类似封装如 TO-236-3 和 SOT-23-3),适合表面贴装 (SMD) 电路,节省 PCB 空间。

应用场合

2SK208-Y 适用于多种电子设备的信号放大、开关控制等场景,尤其是在以下领域表现出色:

  1. 便携式电子产品: 其低功耗特点使其非常适合于手机、平板电脑和便携式音频设备等产品中。
  2. 传感器和测量设备: 由于其高输入阻抗和低漏电流,2SK208-Y 可以在各种传感器和测量设备中使用,比如温度传感器、压力传感器等。
  3. RF 应用: 由于其较低的输入电容,使其在射频信号处理和放大中的应用优势明显。
  4. 音频设备: 可用于音频信号放大器及相关音频设备中,以提升音频信号的质量。

工程师友好特性

2SK208-Y 采用 SC-59 封装,使其在设计 PCB 时非常灵活,并能有效减小空间占用。此外,该器件支持表面贴装,便于高速自动化生产,满足现代电子设备对于可持续性和成本效益的要求。

在实际应用中,2SK208-Y 也具有较高的热稳定性和可靠性,工作温度可达 125°C。这一特性使其在高温环境下仍能保持卓越性能,非常适合汽车电子和工业设备等领域。

总结

2SK208-Y(TE85L,F) 是一款高性价比的 N 通道 JFET,凭借其优秀的电气特性和可靠的性能,适合于各种电子产品及系统。通过其出色的电流和电压特性、紧凑的封装形式以及广泛的应用潜能,该元器件为设计师和工程师在开发低功耗、高效能的电路板提供了强有力的支持。

随着技术的持续进步和电子设备不断更新换代,2SK208-Y 定将为各类新型应用和现有产品集成提供更优质的解决方案。TOSHIBA 的声誉和器件质量保证,使得 2SK208-Y 成为市场上值得推荐的优质产品。