FET类型 | N沟道 | 栅源截止电压(VGS(off)@ID) | 400mV@100nA |
栅源击穿电压(V(BR)GSS) | 50V | 功率(Pd) | 100mW |
饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0) | 1.2mA@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 8.2pF@10V |
2SK208-Y(TE85L,F) 是一款高性能的 N 型结型场效应管 (JFET),由知名半导体制造商 TOSHIBA (东芝)生产。该器件专为低功耗和高效率应用而设计,具有额定功率 100mW,击穿电压 50V,最大漏极电流(Id)为 6.5mA,并能够在高达 125°C 的工作温度下稳定运行。
2SK208-Y 适用于多种电子设备的信号放大、开关控制等场景,尤其是在以下领域表现出色:
2SK208-Y 采用 SC-59 封装,使其在设计 PCB 时非常灵活,并能有效减小空间占用。此外,该器件支持表面贴装,便于高速自动化生产,满足现代电子设备对于可持续性和成本效益的要求。
在实际应用中,2SK208-Y 也具有较高的热稳定性和可靠性,工作温度可达 125°C。这一特性使其在高温环境下仍能保持卓越性能,非常适合汽车电子和工业设备等领域。
2SK208-Y(TE85L,F) 是一款高性价比的 N 通道 JFET,凭借其优秀的电气特性和可靠的性能,适合于各种电子产品及系统。通过其出色的电流和电压特性、紧凑的封装形式以及广泛的应用潜能,该元器件为设计师和工程师在开发低功耗、高效能的电路板提供了强有力的支持。
随着技术的持续进步和电子设备不断更新换代,2SK208-Y 定将为各类新型应用和现有产品集成提供更优质的解决方案。TOSHIBA 的声誉和器件质量保证,使得 2SK208-Y 成为市场上值得推荐的优质产品。