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SST25VF080B-50-4I-S2AF

- 商品编码: BM0182125110复制
- 品牌: MICROCHIP(美国微芯)复制
- 封装: SOIC-8-208mil复制
- 包装: 管装复制
- 重量: 0.207g复制
- 描述: IC FLASH 8M SPI 50MHZ复制
SST25VF080B-50-4I-S2AF参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 接口类型 | SPI |
| 存储容量 | 8Mbit |
| 时钟频率(fc) | 50MHz |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 待机电流 | 5uA |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 |
| 功能特性 | 写使能锁存;软件写保护 |
SST25VF080B-50-4I-S2AF手册
SST25VF080B-50-4I-S2AF概述
产品概述:SST25VF080B-50-4I-S2AF
1. 产品简介
SST25VF080B-50-4I-S2AF 是由美国微芯(Microchip Technology Inc.)生产的一款高性能非易失性闪存存储器。这款芯片采用了 SPI(串行外设接口)进行数据传输,具备8Mb(1M x 8)的存储容量,非常适合嵌入式系统及各类电子应用。它广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域,为设备提供稳定可靠的数据存储解决方案。
2. 主要特性
- 存储容量:8Mb(1M x 8),为各种数据存储需求提供了充足的空间。
- 接口类型:支持 SPI 接口,能够以高速方式与微控制器或其他外设进行通信。
- 时钟频率:支持最高 50MHz 的时钟频率,确保快速的数据传输率。
- 写周期时间:写周期时间为 10µs,结合其高频特性,使得写入速度相对较快,适合对实时性要求较高的应用。
- 电源电压:工作电压范围为 2.7V 至 3.6V,适应各种电源设计方案,提升了兼容性。
- 工作温度范围:-40°C 至 85°C 的工作温度范围,使其能够在恶劣环境下稳定工作,符合工业级应用的需求。
- 封装类型:采用 8-SOIC 表面贴装封装,尺寸为 0.209 英寸(5.30mm),便于在紧凑的电路板设计中集成。
3. 应用领域
SST25VF080B-50-4I-S2AF 适合用于多种场景,包括但不限于:
- 嵌入式系统:为微控制器和其他计算设备提供必要的程序和数据存储功能。
- 工业控制:在自动化设备、传感器和执行器中,实现数据采集和配置存储。
- 汽车电子:用于汽车控制单元(ECU)中,保存重要的系统参数和修复数据。
- 消费电子:可以用于音响设备、智能家居设备以及各种智能终端,实现高效的数据处理。
4. 竞争优势
SST25VF080B-50-4I-S2AF 凭借其高速读取和写入性能、宽广的工作温度范围以及高可靠性,成为许多设计工程师的首选。它的非易失性特性可确保在电源断电情况下数据仍然安全保存,使得使用此款闪存的系统能够提供更好的用户体验和数据安全保障。
5. 总结
SST25VF080B-50-4I-S2AF 是一款功能强大,性能稳定的闪存解决方案。通过其高效的 SPI 接口和大存储容量,能够高度满足现代电子设备对存储的需求。无论是在苛刻的工业环境还是对功耗要求极低的消费电子产品中,它都能发挥出色的性能。选择 SST25VF080B-50-4I-S2AF,意味着选择了一种高效、可靠的存储解决方案,为未来的创新与开发打下了坚实的基础。
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