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NAND FLASH

展示方式:
品牌
DOSILICON
ESMT(台湾晶豪)
FORESEE(江波龙)
Gigadevice(北京兆易创新)
KIOXIA(铠侠)
品牌归属地
中国台湾
中国大陆
国际
封装/规格
1
BGA24 6X8mm
BGA63 11X9X0.88mm
LGA-8(6x5)
LGA-8(6x8)
接口类型
Parallel
SD接口
SD接口;SPI
SPI
存储容量
128Gbit
1Gbit
2Gbit
32Gbit
4Gbit
时钟频率(fc)
104MHz
108MHz
120MHz
133MHz
166MHz
工作电压
1.7V~1.95V
1.7V~2V
2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)
20ns
25ns
45ns
页写入时间(Tpp)
200us
20ns
220us
25ns
300us
块擦除时间(tBE)
1ms
2.5ms
2ms
3.5ms
3ms
数据保留 - TDR(年)
10年
待机电流
100uA
10uA
130uA
150uA
200uA
擦写寿命
10万次
1千次
5万次
6万次
8万次
工作温度
-30℃~+85℃
-40℃~+85℃
0℃~+70℃
功能特性
ECC纠错功能
坏块管理功能;ECC纠错功能
坏块管理功能;硬件写保护功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能
坏块管理功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;软件复位功能
坏块管理功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;软件复位功能;写使能锁存;软件写保护功能
认证信息
RoHS认证
包装/方式
托盘
管装
编带
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
W25N01GVZEIG 产品实物图片
品牌:WINBOND(华邦)复制
封装:WSON-8-EP(6.1x8)复制
类目:NAND FLASH
12领取
存储容量1Gbit复制
接口类型SPI复制
时钟频率(fc)104MHz复制
工作电压2.7V~3.6V复制
描述:NAND复制
库存:25299复制
最小包 : 4000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:两年内
1+51
4000+50
量大可议价
合计51
现在下单最快1小时发货
W25N01KVZEIR 产品实物图片
品牌:WINBOND(华邦)复制
封装:WSON-8(8x6)复制
类目:NAND FLASH
12领取
存储容量1Gbit复制
接口类型SPI复制
时钟频率(fc)104MHz复制
工作电压2.7V~3.6V复制
描述:FLASH NAND(SLC) 存储器 IC 1Gb SPI 四 I/O 104 MHz 7 ns复制
库存:7532复制
最小包 : 3840复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+30.6
3840+30
量大可议价
合计30.6
现在下单最快1小时发货
GD5F1GM7UEWIGR 产品实物图片
封装:WSON-8(5x6)复制
类目:NAND FLASH
12领取
复制
描述:NAND闪存复制
库存:5592复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:24+
1+22.76
3000+22.31
量大可议价
合计22.76
现在下单最快1小时发货
MX35LF1GE4AB-Z4I 产品实物图片
品牌:MXIC(旺宏电子)复制
封装:WSON-8-EP(6x8)复制
类目:NAND FLASH
12领取
存储容量1Gbit复制
接口类型SPI复制
时钟频率(fc)104MHz复制
工作电压2.7V~3.6V复制
描述:SLC NAND Flash Serial 3V/3.3V 1G-bit 256M x 4-bit 8ns 8-Pin WSON复制
库存:4900复制
最小包 : 480复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
RoHS
批次:25+
1+36.63
480+35.64
量大可议价
合计36.63
现在下单最快1小时发货
GD5F1GQ5UEYIGR 产品实物图片
封装:WSON-8-EP(6x8)复制
类目:NAND FLASH
12领取
存储容量1Gbit复制
接口类型SPI复制
时钟频率(fc)133MHz复制
工作电压2.7V~3.6V复制
描述:NAND FLASH 133MHz 10年 1Gbit 3.3V复制
库存:4801复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
批次:两年内
1+29.58
3000+29
量大可议价
合计29.58
现在下单最快1小时发货
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