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瑞萨3.39亿美元收购氮化镓厂商Transphorm
2024-01-12 17:50:3725

1月11日,全球半导体解决方案供应商瑞萨电子与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm宣布双方已达成最终协议,根据协议,瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm,较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%,总估值约为3.39亿美元(约为24.08亿人民币)。

 

瑞萨电子表示,此次收购将为瑞萨提供GaN(功率半导体的下一代关键材料)的内部技术,从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。

 

随着碳中和的基石需求逐渐增加,对高效电源系统的需求也在增加。为了应对这一趋势,相关产业正在向以碳化硅(SiC)和GaN为代表的宽禁带(WBG)材料过渡。

 

这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。为了借助这一势头,瑞萨宣布建立一个内部SiC生产线,并签署了一份为期10年的SiC晶圆供应协议。

 

据悉,瑞萨电子的目标是利用Transphorm在GaN方面的专业知识进一步扩展其WBG产品组合,GaN是一种新兴材料,可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。

 

这些优势使客户的系统具有更高的效率、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。也因此,根据行业研究,GaN的需求预计每年将增长50%以上。

 

瑞萨电子将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案,例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案,以及计算、能源、工业和消费应用。

 

 

业内资深人士表示:“瑞萨这两年开始大规模投资宽禁带半导体,碳化硅方面已经和Wolfspeed签订了长期的材料供应协议,并计划在2025年开始量产碳化硅功率半导体。氮化镓方面,其实Transphorm早有整并或出售计划,该公司拥有丰富的功率氮化镓技术积累,且其晶圆厂就在日本,因此瑞萨选择收购是个非常不错的选择。”

 

Transphorm董事会已一致批准最终协议,并建议Transphorm股东通过该最终交易并批准合并。在签署最终协议的同时,持有Transphorm约38.6%已发行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已与瑞萨签订惯例投票协议以支持本次交易。

 

该交易预计将于2024年下半年完成,但需获得Transphorm股东的批准、监管部门的许可和其他惯例成交条件的满足。

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