长鑫存储筹备进军NAND闪存市场，中国存储双雄互攻腹地

中国存储芯片厂商或许正打算走出各自传统的优势领域。据路透社援引消息人士的说法，DRAM大厂长鑫存储（CXMT）正在筹备进入增长迅猛的NAND闪存市场，此举将使其同时面对三星电子（Samsung Electronics）等全球龙头以及国内对手长江存储（YMTC）的竞争。值得注意的是，据报道长鑫存储已就NAND相关计划与潜在客户进行过沟通，其中包括一家新成立的初创公司——该公司打算采购长鑫存储的NAND芯片，用于面向AI系统和超级计算机的存储产品。

据报道，长鑫存储计划在北京新厂区建设一条NAND闪存研发产线（R&D line）。公司还已在北京设立研究院，NAND开发是其中项目之一。不过报道也指出，这条研发线何时投产、以及长鑫存储是否打算从研发与试产进一步走向大规模商业化量产，目前尚不清楚。

长鑫存储进入的将是一个由国际老牌厂商主导的NAND市场。根据TrendForce的数据，2026年第二季度三星以29.3%的份额居首，SK海力士以18.2%紧随其后，美光为15.1%。相比之下，TrendForce指出，长鑫存储在其核心的DRAM市场已逐步逼近全球龙头，2026年第二季度以9.5%的份额位列第四，落后于三星（39.4%）、SK海力士（24.9%）和美光（23.3%）。

另据《朝鲜日报》（Chosun Ilbo）报道，业内观察人士认为，尽管长鑫存储和长江存储的芯片在性能上仍落后于三星电子与SK海力士，但在存储供应持续偏紧的情况下，两家公司有望通过激进的价格竞争来抢占全球市场份额。这也引发担忧：来自中国存储厂商的竞争加剧，可能对三星电子和SK海力士的盈利能力构成压力。

供应紧张同样增强了这两家中国厂商对部分中国客户的议价能力。路透社的报道指出，长鑫存储和长江存储仍落后于规模更大的国际对手，产品也更偏向低价区间，但供应受限让它们在国内市场拥有了更大的话语权。

中国存储双雄互攻腹地

长鑫存储与长江存储在中国常被称为存储芯片产业的“双雄”，此前基本在各自不同的细分领域经营，但两者业务之间的界限正开始模糊。路透社今年4月报道称，长江存储在考虑进入长鑫存储的核心市场时，已向客户送交低功耗DRAM（LPDDR）样品。该公司预计将在2026年底前获得客户反馈，并据此决定其DRAM生产计划。

两家公司同时也在推进大规模投资与融资计划。据路透社报道，长鑫存储今年7月募资579.2亿元人民币（86亿美元），创下今年亚洲最大IPO；公司还计划在北京建设第二座存储芯片工厂，并一直在与一家由地方政府支持的技术制造基地洽谈融资事宜。

另据凤凰网（ifeng.com）消息，长江存储母公司长存控股（Changcun Holdings）的科创板IPO申请已于8月21日获上海证券交易所受理。该公司计划募资330亿元，若成行将创下科创板单个IPO申请募资额纪录，超过长鑫存储295亿元的募资目标。