SK海力士与英特尔协商在美首次生产内存芯片

韩国 SK Hynix 正就于美国国内首次生产内存芯片的合同，与 Intel 进行协商。

利用 Intel 工厂或成立合资公司成为选项

报道称有两种方案。第一种是 SK Hynix 租用 Intel 正在美国俄亥俄州建设的大型半导体工厂的一部分。第二种是组建有 Intel 及大型云服务商参与的合资事业。

若得以实现，对持续陷入经营低迷的 Intel，以及推动在本国扩大半导体制造的唐纳德·特朗普政府而言，都将构成重大利好。不过，DRAM 和 HBM（高带宽内存）等先进内存技术已被韩国政府指定为国家核心技术，能否获得韩国当局批准尚不明朗。

SK Hynix 否认报道内容

SK Hynix 表示：“正在探讨包括增设生产基地在内的、旨在增强竞争力的各项措施，但目前没有任何已决定事项。”该公司还在网站上发表声明，针对报道中提及的与特定企业合作以及在美国生产内存芯片，再次否认称“完全没有已确定事项”。

美国摆出对韩国和台湾企业征收最高 100% 关税的姿态，同时围绕韩国承诺对美投资的 3500 亿美元中用途未定的 2000 亿美元，相关博弈仍在继续。SK Hynix 似乎被置于美韩两国政府各自盘算之间的艰难处境。路透社 9 月 16 日援引多名知情人士的消息报道了上述内容。