长鑫存储G5平台量产：SAQP突破，24Gb LPDDR5X亮相

在宣布 LPDDR6 量产并首次应用于小米 18 Fold 后，长鑫存储（CXMT）又达成一项重要里程碑。路透社援引该公司新闻稿称，这家中国存储巨头表示，其第五代 DRAM 技术——G5 平台（G5 Platform）已进入量产，同时还有两款基于新工艺打造的 LPDDR5X 产品也迈入量产。

路透社指出，G5 平台的制程微缩还带来了裸片密度的显著提升。据报道，其每晶圆裸片数（die-per-wafer，DPW）至少比上一代平台高 50%，有助于提升能效与成本竞争力。

SAQP 成为 G5 突破核心

G5 的核心是一项先进的自对准四重图形化（self-aligned quadruple patterning，SAQP）技术，它帮助将存储阵列有源区（active-area，AA）的半间距缩小至 11.95nm。长鑫存储表示，这一进展使其工艺能力更接近全球已量产的最先进 DRAM 技术。

值得注意的是，SAQP 的意义并不局限于存储器。Tom's Hardware 在 2024 年援引彭博社的报道称，华为与中芯国际已提交与该技术相关的专利，可能为 5nm 级芯片生产铺路。

对 DRAM 而言，随着传统单次曝光 DUV 光刻逐渐逼近其微缩极限，这项技术正变得愈发重要。Semiconductor Engineering 指出，在 D1b（1-beta）等先进节点，AA 间距已缩小到约 22–26nm，超出单次图形化所能实现的范围。据报道，SAQP 通过多次间隔物图形化步骤来形成更精细的特征，从而应对这一限制。

不过，相关报道也指出，微缩能力的增强伴随着更高的制造复杂度。心轴关键尺寸（mandrel critical dimension，CD）、沉积均匀性或刻蚀的微小变化，都可能在多步工艺中累积，造成被称为间距游移（pitch walk）的不均匀间距。

这也让长鑫存储的最新里程碑尤为引人注目，因为 G5 表明该公司已让 SAQP 走出开发阶段，进入大规模量产。

另一方面，制程流程优化（process-flow optimization）和新材料整合，使长鑫存储 G5 平台实现了 45:1 的阵列电容器深宽比，这是其存储架构微缩的又一关键进展。公司还补充说，通过引入专门针对 DRAM 优化的高介电常数金属栅极（high-k metal gate，HKMG）工艺，G5 平台将核心单元阵列高度降至 6,762nm。