中国存储芯片双雄扩产：长鑫存储与长江存储2028年或正面竞争

中国两大存储芯片制造商正在加速扩产。据《工商时报》（Commercial Times）报道，CXMT（长鑫存储）的DRAM月产能预计将从目前的约32万片晶圆提升至2027年的42万片晶圆；YMTC（长江存储）位于武汉的第三座晶圆厂则计划于2026年底开始运营，并在2027年逐步爬坡量产。不过，机构投资者认为，考虑到AI驱动的存储需求规模，新增产能仍不足以扭转全球供需失衡。报道指出，中国的扩产要到2027年或更晚才可能对全球供需产生实质性影响。

在DRAM方面，《工商时报》指出，CXMT在扩产的同时，正稳步提高LPDDR5和DDR5在产品组合中的占比，新增产量预计主要服务中国国内市场。短期内，这有望降低中国对标准DRAM进口的依赖，但不太可能显著增加全球高端DRAM供应。

CXMT正在传统DRAM领域取得进展。Chosun Biz指出，随着三星电子和SK hynix（SK海力士）将更多产能投入HBM（高带宽内存）以满足AI需求，用于智能手机和PC的DRAM供应趋紧，这为CXMT扩大市场份额创造了更大空间。根据TrendForce（集邦咨询），CXMT的全球DRAM营收份额从2026年第一季度的7.6%升至2026年第二季度的9.5%，排名第四，落后于三星的39.4%、SK hynix的24.9%和美光的23.3%。

NAND领域预计也会出现类似态势。据《工商时报》报道，YMTC位于武汉的第三座晶圆厂将于2027年进入爬坡阶段，并计划建设更多晶圆厂，但新产能上线需要时间。报道还指出，中国快速增长的AI和云数据中心需求正推动企业级SSD和大容量NAND的消耗量上升。因此，机构投资者预计，大部分新增产量可能在中国国内被吸收，而不会立即流向海外市场。

CXMT与YMTC进入彼此市场

除了扩产，两家公司也开始进入彼此的核心市场。据路透社（Reuters）报道，知情人士称，CXMT正准备进入快速增长的NAND闪存市场，该公司据报计划在其新的北京工厂建设NAND闪存研发与生产线。路透社还在4月报道称，YMTC已向客户发送低功耗DRAM（LPDDR）样品，因其考虑进入CXMT的核心市场。《工商时报》提供了更具体的时间线，指出YMTC最早可能在2026年底开始试产LPDDR5 DRAM。

随着两家公司的产品组合日益重叠，《工商时报》指出，行业观察人士预计，CXMT与YMTC最早可能在2028年进入直接竞争。除产能之外，它们的竞争最终还可能延伸至先进制造、混合键合（hybrid bonding）和专利组合。