Micro LED光互连亮相CIOE 2026，瞄准CPO
Micro LED 光互连技术在 CIOE 2026（中国国际光电博览会）上成为焦点。从外延、芯片、显示模组供应商 Enkris Semiconductor、LEKIN、Starksemi、Raysolve，到系统架构厂商 Nexilumen (Shanghai) 和 Intelligence Computing Optical Interconnects（Wuhu Token Science 旗下关联公司），众多生态参与者展示了其在 Micro LED 光互连解决方案方面的最新突破。
从架构看，这些公司以 Micro LED 阵列取代传统半导体激光器作为光源，借助高密度多通道并行传输实现超高带宽密度。相关方案的功耗普遍瞄准 1–2 pJ/bit 或更低，较传统光引擎设计大幅降低。
结合晶圆级制造与 CMOS 兼容工艺，该技术为低成本、大规模量产提供了可行路径。随着 AI 算力需求快速扩张，短距互连遭遇物理带宽瓶颈，Micro LED 光互连正从概念验证走向商业部署。
Raysolve
Raysolve 展示了与合作伙伴联合开发的 Micro LED 光互连验证平台，实现了多芯光纤（MCF）信号传输。该公司基于 2021 年在香港科技大学（HKUST）启动的技术研究，已从 Micro Display 拓展至光互连关键指标，包括光源调制速度、高效准直和低串扰。
Raysolve 目前正与领先的光互连和收发模块供应商合作，推进功能验证、性能优化以及终端市场应用测试。
Starksemi
Starksemi 展示了面向高速光子链路设计的 Micro LED 光互连架构。该公司演示了高带宽 Micro LED，其 -3dB 带宽约为 2,500 MHz，显著优于标准 Micro LED（约 500 MHz）。
通过采用高密度并行通道，该架构预计可将能耗降低最多 20 倍。Starksemi 已开始向战略合作伙伴出货样品，用于产品验证。
LEKIN
LEKIN 展示了基于其 GaN-on-Silicon（硅基氮化镓）平台的完整 Micro LED 光互连解决方案，并现场演示了 GaN-on-Si Micro LED 光互连晶圆。该方案具有三大核心优势：
- 高带宽：设计满足 800G 和 1.6T 光收发模块需求。
- 超低功耗：能耗为 1–2 pJ/bit，显著低于传统激光引擎。
- 热稳定性：工作温度范围覆盖 -40°C 至 125°C。
Enkris
Enkris 展示了面向光通信的 8 至 12 英寸 GaN-on-Si Micro LED 光源。该器件在 500 A/cm² 电流密度下实现 1.6 GHz 带宽，功耗低于 1 pJ/bit。
随着行业关注转向高速可见光通信（VLC），Enkris 正利用其大直径 GaN-on-Si 外延能力服务光通信领域。
Nexilumen
Nexilumen 展示了其自主研发的高性能 Micro LED 光互连系统的原型样品。
- 长波长 InGaN Micro LED：发射器能效达到 0.056 pJ/bit，电光调制带宽为 2.85 GHz，并在 6.25 A/cm² 低电流密度下实现稳定的 1.5 Gbps 数据传输。
- 短波长 Micro LED：405 nm 版本在整个电流范围内带宽超过 3GHz，在低（3.2 mA）和高（32 mA）驱动电流下均保持高于 3GHz 的高频响应。
工程团队目前正通过单片集成和异质集成，将 CMOS 驱动电路与 Micro LED 阵列整合，并计划在近期构建 1.6 Tbps 光互连系统原型。
Intelligence Computing Optical Interconnects
Intelligence Computing Optical Interconnects 与其股东 Wuhu Token Sciences 合作，展示了面向短距高速的 Micro LED 光互连链路，目标整体端到端能效低于 1 pJ/bit。Lightlink 已启动产学研合作，以推进技术验证和商业化。
行业展望
Micro LED 光互连正在整个供应链中获得更多关注，并受到较高市场预期支撑。根据 TrendForce，基于 Micro LED 的共封装光学（Co-Packaged Optics, CPO）收发模块最早可能于 2H28（2028 年下半年）进入量产，到 2030 年市场产值预计将达到约 8.48 亿美元。
