SAIMEMORY携手新光电气工业共推ZAM内存研发商用化

SAIMEMORY与新光电气工业于9月28日宣布，已就高密度、高带宽、低功耗的下一代内存技术“ZAM（Z-Angle Memory）”的研发与商用化签署基本协议。

要点

SAIMEMORY与新光电气工业将在ZAM的研发和商用化方面开展合作。
将利用新光电气工业的封装基板和高密度封装技术，建立封装与制造技术。
Intel与理研的研发项目加入新光电气工业，加速日本研发的下一代内存落地。

建立从研发到量产的长期合作

根据协议，两家公司将构建覆盖ZAM研发、制造技术确立以及未来商用化的长期合作关系。SAIMEMORY负责推进下一代内存架构开发，新光电气工业则将其半导体封装基板的设计、制造技术与高密度封装技术相结合，目标是推动日本研发的下一代内存技术实现社会落地。

Z方向堆叠的下一代内存技术

ZAM是面向AI和高性能计算（HPC）的下一代半导体内存技术，力求同时实现高内存密度、高数据传输带宽和低功耗。在生成式AI的训练和推理中，不仅GPU等运算性能重要，向运算装置供应大量数据的内存容量、带宽和功耗也越来越影响整个系统的性能。

作为GPU内存使用的HBM，通过TSV堆叠多个DRAM裸片，提高了内存容量和带宽。但随着堆叠数量增加，以中间层为中心产生的热量更难向外部散出，可能制约功耗、性能和堆叠数量的扩大。

ZAM设想采用将内存沿Z方向堆叠的垂直构建结构，并采用磁场耦合无线通信I/O。通过不依赖物理布线连接ZAM立方体（ZAM Cube）与host die（宿主芯片），其目标是在提高散热性能的同时，扩展内存容量和带宽。

从Intel合作发展到NEDO项目

SAIMEMORY是软银为推进下一代内存技术实用化研发，于2024年12月设立的100%子公司。

该公司于2026年2月与Intel签署了面向ZAM实用化的合作协议。Intel将利用其在美国能源部支持下推进的“Advanced Memory Technology”项目基础技术，以及在“Next Generation DRAM Bonding”倡议中验证的技术知识，推进内存架构和制造技术的研发。

在2026年2月3日举行的“Intel Connection Japan 2026”上，Intel Government Technologies的Fellow兼CTO Joshua Fryman（乔舒亚·弗莱曼）博士展示了ZAM原型。

此外，同年4月，由SAIMEMORY作为代表实施方、Intel作为共同实施方的ZAM联合开发项目，被新能源产业技术综合开发机构（NEDO）的“后5G信息通信系统基础强化研发事业”采纳，理化学研究所（理研）也作为联合研究方参与。

该研发项目包括磁场耦合无线通信的设计与开发、ZAM的制造方法、连接ZAM立方体与运算装置的host die参考设计，以及性能评估系统的构建。

新光电气工业负责封装与制造技术

此次基本协议中，长期开展半导体封装基板、引线框架、倒装芯片封装等业务并积累高密度半导体封装技术的新光电气工业，将致力于确立ZAM研发和商用化所需的封装技术与制造技术。

要将ZAM作为商用产品实现，不仅需要内存架构和通信技术，还需要高精度堆叠大量内存裸片的技术、包含侧面电极的连接结构、与host die的封装，以及在量产中确保质量和良率的制造工序。SAIMEMORY与Intel、理研推进架构、通信和制造工艺研发，再加上新光电气工业在封装基板和高密度封装方面的知识，此举被认为意在强化从试制向量产过渡的技术体制。