AI需求推动HBM产能占比升至30%，2027年DRAM供应趋紧

在AI需求推动下，HBM（高带宽内存）在全球DRAM产能中的占比预计将继续上升。据路透社报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，明年（2027年）HBM预计将占DRAM行业总晶圆产能的近30%，而目前这一比例约为20%。Kim Taewoo指出，HBM与常规DRAM争夺相同的晶圆产能，这意味着HBM进一步扩产可能制约常规DRAM供应。

在公司层面，三星也可能大幅扩张HBM产能。据《首尔经济日报》报道，业内估算显示，三星HBM月均晶圆投片量可能从今年的约18万片增至2027年的约25万片，增幅接近40%。报道还称，随着HBM4E量产逐步爬坡，HBM4系列在三星明年HBM出货中的占比可能达到约80%，而今年约为40%。

HBM对晶圆需求更高，可能放大对常规DRAM供应的影响。ijiwei指出，HBM消耗的晶圆面积约为常规DRAM的三倍。换句话说，单个HBM裸片所占晶圆面积，大致相当于3GB DDR5所需的晶圆面积。这意味着，当HBM在DRAM产能中的占比从20%升至30%时，常规DRAM供应被挤出的速度可能达到前者的两到三倍。

供应持续紧张推升2027年HBM价格预期

这些产能压力预计将令更广泛的存储市场维持紧张。TrendForce称，AI服务器需求持续增长，使HBM与常规DRAM继续争夺有限的先进制程与晶圆产能。同时，下一代产品的良率和产出提升仍需时间，因此2027年存储供应预计仍将偏紧。

在存储价格持续上涨的背景下，TrendForce指出，供应商对2027年上调HBM价格的态度也更加坚定。TrendForce已上调2027年HBM价格预期，以反映持续的供应限制、价格更高的HBM4占比上升，以及HBM4E在2027年下半年（2H27）逐步放量。目前预计混合平均售价（Blended ASP）将同比增长121%。