应用材料与英特尔扩大合作 共研AI半导体3D堆叠与晶体管

要点

• 应用材料（Applied Materials，AMAT）与英特尔（Intel）将扩大面向AI计算的半导体技术联合开发。
• 双方将共同开发下一代晶体管、布线，以及基于Foveros的3D堆叠技术。
• 合作将利用EPIC中心与英特尔的研发基地，目标是缩短从研发到量产导入的周期。

应用材料（Applied Materials，AMAT）于10月6日（美国时间）宣布，将与英特尔（Intel）推进合作，加速面向AI计算的半导体技术开发。

双方将利用应用材料在美国硅谷设立的研发基地“EPIC中心”，以及英特尔位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地的技术与设备，针对下一代晶体管、布线和先进封装技术，力争缩短从研发到量产导入的周期。

两家公司多年来一直致力于解决半导体器件微缩带来的材料与制造工艺课题。此次合作中，双方将借助EPIC中心，为提升AI运算性能与电力效率，一体化开发材料、制造工艺、半导体器件结构与封装，从而加速将美国实验室成果转化为大规模生产的进程。

联合开发先进逻辑的晶体管与布线技术

在AI半导体领域，除提升运算性能外，抑制功耗与发热也十分重要。随着向先进工艺迁移，晶体管结构日趋复杂，连接晶体管之间的布线微缩也变得更加困难。原因在于，布线电阻增大、功耗及信号延迟等因素会影响半导体整体性能。

应用材料与英特尔计划将双方在面向AI工作负载的先进逻辑工艺中，共同开发下一代半导体材料、制造工艺和器件架构的经验，在EPIC中心进一步推进；合作范围除了晶体管形成工序（FEOL），还将包括布线形成工序（BEOL）中的布线微缩等技术开发。

此外，双方还将共同开发基于英特尔3D封装技术“Foveros”的先进封装技术。Foveros是一种将多个裸片（die）垂直堆叠并互连的技术，其特点是通过组合采用不同功能和制造工艺的裸片，不必仅依赖单颗裸片的工艺微缩，就能提升整个系统的性能与功能。

不过，随着裸片堆叠数量和连接密度增加，芯片间布线、供电、散热、结构可靠性等课题也会更加复杂。因此，双方将通过联合开发，提高互连密度、改善供电、提升热性能，并力争应用于处理代理型AI（agentic AI）等新型AI工作负载的高性能计算平台。

据悉，EPIC中心预计于2026年内在美国硅谷开始运营。EPIC是“Equipment and Process Innovation and Commercialization”的缩写，是一个工艺研发基地，旨在与半导体制造商和大学合作，缩短新材料、器件结构、制造工艺从初期研究到量产迁移的周期。英特尔是该中心的创始合作伙伴之一。双方研发团队将在EPIC中心与英特尔基地协作，力争一体化推进从下一代材料、制造工艺开发到量产迁移的全过程。

对于英特尔这类应用材料的客户——半导体制造商而言，该中心有望发挥平台作用，使其尽早接触应用材料的研发组合、缩短学习周期，并迅速将下一代技术迁移至大规模生产。