台积电格芯20亿美元硅中介层协议或加速美国先进封装布局

台积电（TSMC）本周四将召开财报电话会议，其与格芯（GlobalFoundries）达成的20亿美元硅中介层（silicon interposer）制造协议正受到关注。据《工商时报》报道，硅中介层并不需要2nm或3nm等先进制程；凭借现有65nm中介层平台，格芯虽然已退出7nm以下逻辑制程竞赛，仍可在AI芯片供应链中占据一席之地。

更值得注意的是，该协议可能为台积电加快美国先进封装产能扩张铺路。据《工商时报》报道，台积电原本计划2029年在亚利桑那州建立CoWoS和3D IC封装能力。随着格芯预计于2028年上半年启动硅中介层量产，而安靠（Amkor）亚利桑那州工厂计划于2028年初开业，该报道援引的行业观察人士认为，台积电首座美国先进封装工厂最早可能在2028年上半年投产，较原计划提前。

除了时间表，该协议还可能具有战略与地缘政治意义。半导体分析师 Andrew Lu 认为，这一合作可能缓解美国因“芯片在美国制造、却在台湾封装”而对台积电施加的压力。Lu 表示，将台积电亚利桑那州制造的4nm和3nm芯片（后续还有2nm）、格芯的硅中介层以及安靠的封装能力结合起来，有望为更本地化的美国CoWoS供应链铺路。

该安排还可能提升台积电的资本效率。Lu 指出，硅中介层通常采用成熟的65nm或90nm制程制造，所含有效晶体管很少，却仍占用宝贵的12英寸晶圆厂产能。

通过将这项利润率较低的工作外包给格芯，台积电可以专注于价值更高的业务，从据称每片晶圆价格最高达3万美元的3nm和2nm计算芯片，到先进的晶圆上芯片（chip-on-wafer，CoW）键合。

Tom’s Hardware 进一步解释称，中介层制造只是 CoWoS-S 工艺中的一步。该技术还涉及逻辑小芯片与 HBM 堆叠的精密键合、组装到有机基板以及电气测试——这些都需要专门产能，而台积电与格芯的协议并未覆盖。

AI中介层热潮推动台湾晶圆厂扩产

与此同时，AI封装热潮正为台湾成熟制程晶圆厂带来新机遇，联电（UMC）和力积电（PSMC）正从传统芯片制造向硅中介层及其他先进封装组件扩张。

据《经济日报》报道，联电计划将硅中介层月产能从3000片翻倍至6000片，以满足不断增长的需求。其采用深沟槽电容器（DTC）的2.5D封装方案据称正出货给一家大客户，而主动式中介层（active interposer）正在多家客户处进行验证。

联电还在英特尔（Intel）先进封装供应链中取得进展。另一篇《经济日报》报道指出，其硅桥（silicon bridge）订单强劲，这些硅桥被嵌入基板，用于英特尔的封装技术。

另一方面，报道称，随着英特尔加速开发18A和14A制程节点并扩大先进封装产能，力积电凭借其长期建立的12英寸集成被动器件（IPD）平台，在其EMIB供应链中站稳脚跟，成为硅电容器的独家供应商。